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用于超低温模拟的MOSFET阈值电压模型

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提出了一个改进的MOSFET超低温阈值电压模型.MOS器件在超低温环境在会出现阈值电压偏移等特性,标准的BSIM模型不能准确表征MOSFET在超低温环境下的特性.该文在BSIM模型基础上,对MOSFET阈值电压随温度变化方程进行修正,采用Verilog-A语言进行描述,实现了模型在商用EDA工具中可用.模型采用超低温(77K)下90nm工艺MOSFET器件实测数据进行验证,测量和模型仿真所得阈值电压有很好吻合.

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来源
《中国电子学会电路与系统分会第二十六届年会》|2015年|54-57|共4页
会议地点长沙
作者
Guo Zhi-hao; 郭志浩; Liu Jun; 刘军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
金属氧化物半导体器件; 阈值电压; 低温环境;
入库时间 2022-08-17 10:13:53

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