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2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集

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1.Nanoarchitectonics and Nanoelectronics

机译：纳米建筑与纳米电子
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
2.Towards Quantum Ballistic Field-Effect Transistors: Design and Experimental Results

机译：走向量子弹道场效应晶体管：设计和实验结果
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
3.The 11th Five-Year Plan and New Wave of Semiconductor Development in China

机译：“十一五”规划和中国半导体发展新潮流
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
4.Plasma Treatment on the Plastic Substrates for Liquid Phase Deposited SiO2 Films for Flexible Electronics Applications

机译：柔性电子应用中液相沉积SiO2薄膜塑料基板上的等离子体处理
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
5.Comparison of Nonlinear Ⅰ-Ⅴ Models for Submicron GaAs MESFET's Characteristics

机译：亚微米GaAs MESFET特性的非线性Ⅰ-Ⅴ模型比较
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
6.Effects of Ⅴ/Ⅲ Ratios on the Properties of AlN Grown on Si (111) Substrate by LP-MOCVD

机译：Ⅴ/Ⅲ比对LP-MOCVD法在Si（111）衬底上生长AlN性能的影响
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
7.A Highly linear Lowpass Filter for GSM/WCDMA Receivers

机译：适用于GSM / WCDMA接收器的高度线性低通滤波器
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
8.A 2.4GHz Low-Power Single-Chip Tunable CMOS Low-IF ISM Receiver

机译：2.4GHz低功耗单芯片可调CMOS低中频ISM接收器
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
9.Design of a Low-Power 8 x 8 Bit Parallel Multiplier Using MOS Current Mode Logic Circuit

机译：使用MOS电流模式逻辑电路的低功耗8 x 8位并行乘法器设计
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
10.A CMOS TH-BPAM UWB pulse generator

机译：CMOS TH-BPAM UWB脉冲发生器
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
11.Design and simulation of 1D longitudinal acoustic resonator for photoacoustic spectroscopy

机译：一维光声光谱纵向声谐振器的设计与仿真
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
12.Membrane structure FBAR fabricated with highly c-axis oriented AlN film based on platinum electrode

机译：基于铂电极的高c轴取向AlN膜制成的膜结构FBAR
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
13.Low Power RF Section of a Passive Tag in 0.35 μm CMOS

机译：0.35μmCMOS中无源标签的低功耗RF部分
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
14.A 1V 1.8GHz Low Power Differential Colpitts VCO

机译：1V 1.8GHz低功率差分Colpitts VCO
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
15.A 250MSPS 8-Bit Analog-to-Digital Converter Based on 0.35μm BiCMOS Technology

机译：基于0.35μmBiCMOS技术的250MSPS 8位模数转换器
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
16.A Precise Curvature Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference with Sub 1V Supply

机译：低于1V电源的精确曲率补偿CMOS带隙基准电压源
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
17.A Lo Cost design for timized I C and de-antization of

机译：低成本的I C设计和量化的设计
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
18.Evaluation of phosphorous pile-up at the Si/SiO2 interface

机译：Si / SiO2界面处磷堆积的评估
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
19.Thermal conductivity measurements of ultra-thin single crystal silicon films using improved structure

机译：使用改进的结构测量超薄单晶硅薄膜的热导率
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
20.Spin-Current Shot Noise in Spin Transistors

机译：自旋晶体管中的自旋电流散粒噪声
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
21.Electrical Properties Study ofNi (Pt)-silicide/Si Contacts

机译：Ni（Pt）硅化物/ Si触点的电性能研究
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
22.Bias Temperature Instability in MOSFETs with Atomic-Layer-Deposited Si-Nitride/SiO2 Stack Gate Dielectrics

机译：具有原子层沉积氮化硅/ SiO2叠层栅电介质的MOSFET的偏置温度不稳定性
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
23.Extraction of Rsd andΔL in Deep-Submicrometer MOSFETs

机译：深亚微米MOSFET中Rsd和ΔL的提取
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
24.Impact of Varying Electric Field: Tunneling in Deep Submicron nMosfets

机译：电场变化的影响：深亚微米nMosfets中的隧穿
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
25.A programmable-gain chopper-stabilized 2-order sigma-delta modulator design

机译：可编程增益斩波器稳定的2阶Σ-Δ调制器设计
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
26.Drain Disturb Related to Negative VB in NOR flash

机译：NOR闪存中与负VB相关的漏极干扰
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
27.Thin Films of Layered-Structure (1-x)SrBi2Ta2O9-xBi3TiTaO9 Solid solution for Ferroelectric Random Access Memory Devices

机译：铁电随机存取存储器件的层结构（1-x）SrBi2Ta2O9-xBi3TiTaO9固溶体薄膜
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
28.A High-Speed Area-Efficient Architecture for the Arithmetic in GF(2m)

机译：GF（2m）中算法的高速高效区域结构
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
29.Modeling of Scattering at High-k Dielectric SiO2 Interface of Strained SiGe MOSFETs

机译：SiGe MOSFET高k电介质SiO2界面处的散射建模
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
30.A Broadband Monolithic Balun Based on 0.13μm CMOS Process Using Planar-Spiral Transformers

机译：平面螺旋变压器基于0.13μmCMOS工艺的宽带单块巴伦
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
31.A Wideband Low Power VCO for IEEE 802.1 la

机译：适用于IEEE 802.1 la的宽带低功耗VCO
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
32.Compact and Broadband Coplanar Waveguide Left-Handed Metamaterial Transmission Line for RF/MICC Application

机译：RF / MICC应用的紧凑型宽带共面波导左手超材料传输线
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
33.Design and Fabrication of a Low Crosstalk SiO2/Si Array Waveguide Gratings

机译：低串扰SiO2 / Si阵列波导光栅的设计与制作
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
34.High Performance High-k/Metal Gate Germanium MOSFETs with Shallow Junction Fabricated by Laser Thermal Process

机译：通过激光热加工制造具有浅结的高性能高k /金属栅极锗MOSFET
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
35.Effective Suppression of Fermi Level Pinning in Poly-Si/HfO2 Gate Stack by Using Poly-SiGe Gate

机译：通过使用多晶硅栅实现有效抑制多晶硅/ HfO2栅叠层中费米能级的钉扎
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
36.Silicon Nanotechnologies and Emerging Non-Silicon Nanoelectronics (Plenary Talk)

机译：硅纳米技术和新兴的非硅纳米电子技术（全体会议）
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
37.Characteristics of MBCFET (Multi-Bridge-Channel MOSFET) with Tall-Embedded-Gate(TEG)

机译：具有高嵌入式栅极（TEG）的MBCFET（多桥沟道MOSFET）的特性
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
38.Investigation of nanowire orientation and embedded Si1-xGex source/drain influence on twin silicon nano-wire field effect transistor(TSNWFET)

机译：纳米线取向和嵌入式Si1-xGex源/漏对双硅纳米线场效应晶体管（TSNWFET）影响的研究
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
39.Device Physics and Design Theory of Si, Ge and Si1-xGex Vertical Dual Carrier Field Effect Transistor Integrated Circuits on Insulator with Effective Channel Length of 5-18nm

机译：绝缘体上有效沟道长度为5-18nm的Si，Ge和Si1-xGex垂直双载流子场效应晶体管集成电路的器件物理和设计理论
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
40.Study of Body Contact of Partial Deplited SOI NMOS Devices

机译：部分分离的SOI NMOS器件的体接触研究
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
41.Leakage Current Characteristics of Footed Dual Vt Dominos in Nanometer CMOS Technologies

机译：纳米CMOS技术的双脚Vt多米诺漏电流特性。
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
42.Xe implantation in SiO2: low-k applications

机译：SiO2中的Xe注入：低k应用
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
43.Experimental Study on the O2 Influences on Semiconductor Gas Sensor Responses

机译：氧气对半导体气体传感器响应影响的实验研究
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
44.0.6 μm CMOS pH sensor IC with Si3N4 island structure

机译：具有Si3N4岛状结构的0.6μmCMOS pH传感器IC
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
45.A Nodal Analysis Model for Out-of-Plane Beamshaped Electrothermal Microactuators

机译：平面外束状电热微执行器的节点分析模型
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
46.Endurance Characteristics of SuperFlash(R) Memory

机译：SuperFlash（R）存储器的耐久性特征
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
47.Complimentary Bit Disturb in MirrorBitTM Flash Technology

机译：MirrorBitTM闪存技术中的免费位干扰
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
48.Reversible resistive switching of Gd-doped TiO2 thin films for nonvolatile memory applications

机译：用于非易失性存储应用的掺Gd的TiO2薄膜的可逆电阻转换
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
49.Study of Surface Passivation with Different a-SiNx:H Films Effect on AlGaN/GaN HEMTs

机译：不同a-SiNx：H薄膜表面钝化对AlGaN / GaN HEMT的影响研究
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
50.Visible blind p+/p-+ UV 4H-SiC photodiodes based on 4H-SiC homoepilayers

机译：基于4H-SiC同质外延层的可见盲p + / p / n- / n + UV 4H-SiC光电二极管
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
51.Effects of Homo-buffer Layer on Properties of ZnO Films Grown on Si(1 1 1) by Pulsed Laser Deposition

机译：均匀缓冲层对脉冲激光沉积在Si（1 1 1）上生长的ZnO薄膜性能的影响
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
52.Electrical properties of metamorphic In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As HEMT's on GaAs substrate

机译：GaAs衬底上变质In0.52Al0.48As / In0.65Ga0.35As HEMT的电学性质
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
53.High-Temperature Characteristics of A Symmetrically-Graded InAlAs/InxGa1-xAs/GaAs MHEMT

机译：对称梯度InAlAs / InxGa1-xAs / GaAs MHEMT的高温特性
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
54.Subthreshold Characteristics and High-Frequency Performance in InAlAs/InGaAs MHEMT with a Liquid Phase Oxidized InAlAs Gate

机译：液相氧化InAlAs栅极的InAlAs / InGaAs MHEMT的亚阈值特性和高频性能
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
55.A Ku/K-band PHEMT Diode Single-balanced Mixer

机译：Ku / K波段PHEMT二极管单平衡混频器
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
56.8-Watt Internally Matched GaAs Power Amplifier At 16-16.5GHz

机译：16-16.5GHz的8瓦内部匹配GaAs功率放大器
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
57.GaAs layers under external uniaxial stress:photoluminescence studies

机译：外部单轴应力下的GaAs层：光致发光研究
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
58.A Simple Thermal-Balance Model for Floorplanning Based B*-Trees

机译：基于B *-树的平面规划的简单热平衡模型
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
59.Formation of β-FeSi2 from Fe/Si Multilayers by Sputtering

机译：通过溅射从Fe / Si多层形成β-FeSi2
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
60.The Design and FPGA Verification of a General Structure, Area-optimized Interpolation Filter Used in △-Σ DAC

机译：△-ΣDAC中通用结构，面积优化内插滤波器的设计和FPGA验证
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
61.Optical Properties of Eu3+:Y2SiO5 crystal

机译：Eu3 +：Y2SiO5晶体的光学性质
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
62.A Novel High-k Gate Dielectric HfLaO for Next Generation CMOS Technology

机译：用于下一代CMOS技术的新型高k栅极介电HfLaO
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
63.Controllability of Flatband Voltage in High-k Gate Stack Structures- Remarkable Advantages of La2O3 over HfO2 -

机译：高k栅堆叠结构中的平带电压可控性-La2O3优于HfO2的显着优势-
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
64.Role of Oxygen States in Hihg-k Gate Stack Engineering

机译：氧态在高k门叠层工程中的作用
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
65.Oxidation process of HfO2/SiO2/Si structures observed by high-resolution RBS

机译：高分辨率RBS观察HfO2 / SiO2 / Si结构的氧化过程
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
66.Analysis of l/f noise for CMOS with high-k Gate Dielectrics

机译：具有高k栅极电介质的CMOS的l / f噪声分析
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
67.Advanced Ni-based FUlly SIlicidation (FUSI) Technology for sub-45nm CMOS Devices

机译：适用于低于45nm CMOS器件的先进的镍基硅化（FUSI）技术
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
68.UV Curing Technology for Advanced Device Fabrication:Challenges and Solutions

机译：用于高级设备制造的紫外线固化技术：挑战和解决方案
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
69.Receng Progress of Heterogeneous Integration for Semiconductor Materials and Microsystems

机译：半导体材料与微系统异构集成的最新进展
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
70.An 1V 6.25GHz PLL with 0.5 ps rms Jitter in 0.13 μm CMOS

机译：具有0.13μmCMOS的0.5ps rms抖动的1V 6.25GHz PLL
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
71.Process-induced layout variability for sub 90nm technologies

机译：低于90nm技术的工艺引起的布局可变性
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
72.Design and Implementation of a 64/32-bit Floating-Point Division, Reciprocal,Square root, and Inverse Square root Unit

机译：64/32位浮点除法，倒数，平方根和反平方根单元的设计和实现
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
73.Design and Implementation of Reconfigurable ECC Arithmetic Unit over GF(2m)

机译：GF（2m）上可重构ECC算术单元的设计与实现
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
74.Electrostatic Discharge Protection in the Nano-Technology-Will We be able to Provide ESD Protection in the Future?

机译：纳米技术中的静电放电保护-将来我们能够提供ESD保护吗？
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
75.Active feedback control of reactive sputtering AlN thin film fro FBAR

机译：FBAR反应溅射AlN薄膜的主动反馈控制
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
76.Analysis of Fringing-Electric-Field-Related Capacitance Behavior of Narrow-Channel FD SOI NMOS Devices Using 3D Simulation

机译：使用3D仿真分析窄通道FD SOI NMOS器件与边缘电场相关的电容行为
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
77.Manufacturing Yield Ramp-up Methodogy for Advanced Technology

机译：先进技术的制造良率提升方法
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
78.A Brief Overview of Modern High-Speed SiGe HBTs (Invited Paper)

机译：现代高速SiGe HBT的简要概述（邀请论文）
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
79.Overcoming Research Challenges for CMOS Scaling: Industry Directions

机译：克服CMOS缩放的研究挑战：行业方向
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
80.Nanoelectronics: Towards End of Scaling and Beyond (invited Paper)

机译：纳米电子学：朝着可扩展的方向发展（受邀论文）
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
81.Scaling to 10nm-Bulk, SOI or Double-Gate MOSFETs?

机译：缩放到10nm批量，SOI或双栅极MOSFET？
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
82.CMOS devices architectures for the End of the Roadmap and Beyond (Invited talk)

机译：路线图的末尾及以后的CMOS器件架构（特邀演讲）
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
83.Development on the High-Speed Bipolar Transistor with BF2-Implanted Thin Base

机译：BF2注入薄基极的高速双极晶体管的开发
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
84.'Choices for future interconnect materials and processing'

机译：“未来互连材料和处理的选择”
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
85.Scaling Consideration for Sub-90 nm Split-Gate Flash Memory Cells

机译：低于90 nm的分栅门闪存单元的缩放比例考虑
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
86.Diamond Technology: An Overview Invited Paper

机译：钻石技术：概述论文
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
87.Revisiting Scalable Modular Multiplication over GF(2m) for Elliptic Curve Cryptography

机译：椭圆曲线密码学在GF（2m）上的可扩展模块化乘法
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
88.Single electronics: potentialities and issues

机译：单一电子产品：潜力和问题
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
89.Scalable Modeling of MOSFET Source and Drain Resistance for MS/RF Circuit Simulation

机译：用于MS / RF电路仿真的MOSFET源极和漏极电阻的可扩展建模
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
90.Combinaotrial materials exploration and composition tuning for the future gate stack structure

机译：未来闸门结构的组合材料探索和成分调整
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年
91.Microscopic Theory of Energy Distribution of SiO2/Si Interface Traps: A Survey of History and Some New Results

机译：SiO2 / Si界面陷阱能量分布的微观理论：历史回顾和一些新结果
- 会议名称：《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》 | 2006年