通过离子注入进行硅基GaN的P型掺杂

摘要

本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N<,2>气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10<'17>/cm<'3>,迁移率为9.39cm<'2>/Vs,从而形成PN结,这些工作为后续的GaN器件的研制打下了基础.