GaN; p-conductivity; superlattice; delta doping; LED;
机译:AlGaN / GaN / Si中的高沟道电导率,击穿场强和低电流塌陷
机译:具有p-GaN背势垒和Si Delta掺杂层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的增强电特性
机译:以无意掺杂的Ain / gan超晶格为阻挡层的Algan / gan异质结构的生长和表征
机译:优化p型AlGaN / GaN和GaN / InGaN超晶格设计以增强垂直传输
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:用交替的Mg掺杂/未掺杂的AlGaN层结构改善p型alga电导率
机译:电子束诱导的P型GaN和AlGaN / GaN超晶格中的电子扩散长度升高
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应