机译:AlN中间层对在GaN /蓝宝石模板上生长的p型AlGaN / GaN超晶格的微观结构和电学性质的影响
机译:使用渐变Al组成的p型AlGaN / GaN超晶格改进GaN基发光二极管
机译:光谱光电流技术确定Franz-Keldysh效应对p型GaN中电子扩散长度的影响
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,具有P型GaN盖层
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:p型GaN中的电子扩散长度和寿命
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。