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陈军峰;
西安电子科技大学;
半导体材料; GaN材料; 超晶格结构; p型掺杂; 输运特性; AlGaN材料;
机译:掺杂Mg的AlGaN和GaN / AlGaN超晶格的生长和退火研究
机译:具有超晶格p型掺杂的基于AlGaN的深紫外发光二极管的改进特性
机译:蓝光LED Algan / GaN超晶格的p型掺杂研究
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:GaN / alGaN超晶格中的太赫兹生成
机译:使用algan / gan超晶格的氮化物半导体发光器件及其制造方法
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
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