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齐鸣; 罗晋生; 白■淳一; 山田巧; 野崎真次; 高桥清; 鹿岛秀夫; 德光永辅; 小长井诚;
西安交通大学电子工程系;
东京工业大学电子物理二学科;
东京工业大学电气电子二学科;
化合物半导体; 晶体生长; 掺杂碳;
机译:高y值(〜80%)的In_xGa_(1-x)As / GaAs_(1-y)P_y应变层超晶格的生长和表征
机译:夹在Ⅱ型AlAs / GaAs超晶格之间的In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)/ GaAs量子阱的光学探测回旋共振研究
机译:分子束外延生长的In_xGa_(1-x)As / GaAs超晶格中的拉曼散射
机译:使用叔丁基膦(TBP)MOMBE生长重碳掺杂的n型InP
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:在GaAs衬底上生长的I型和II型GaAs / GaP应变层超晶格的光致发光研究
机译:在(112)衬底上生长的Gaas / Ga(1-x)/ Inxas应变层超晶格中的应变释放。
机译:具有应变的超晶格缓冲层和In-掺杂的GaAs衬底的半导体器件
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
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