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齐鸣; 罗晋生; 白■淳一; 山田巧; 野崎真次; 高桥清; 德光永辅; 小长井诚;
西安交通大学电子工程系;
东京工业大学电子物理工学科;
东京工业大学电气电子工学科;
半导体器件; 掺杂; InGaAs; MOMBE; 碳;
机译:重力对在国际空间站生长的In_xGa_(1-x)Sb三元合金性能的影响-在国际空间站生长的In_xGa_(1-x)Sb三元合金
机译:线性梯度变质In_xGa_(1-x)P缓冲GaAs衬底上生长的具有部分p掺杂光吸收层的未掺杂InP夹心InGaAs p-i-n光电探测器
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:微波成像应用高介电特性碳掺杂组织模拟材料的制备
机译:系统中掺杂和未掺杂单晶激光材料的生长(mF2)x。(YF3)(1-x)。
机译:利用氢载气外延生长碳和磷掺杂的硅
机译:类金刚石碳多层掺杂生长的方法和装置
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