衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

摘要

研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其中衬底温度直接影响着 In的偏析程度 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ Ga As的生长模式 ;生长速率影响着Inx Ga1 -x As外延层的质量 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD的形状及尺寸 .通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD(x=0 .3)