InP基板上低温成長In_xGa_(1-x)Asの結晶構造の成長温度およびアニール温度依存性

摘要

本研究では、InP基板上の低温成長In_xGa_(1-x)Asに着目し、特に混晶半導体の特性の基本となる結晶構造に焦点を当てた。XRD法、ラザフォード後方散乱法（Ruther ford back scattering spectrometry: RBS）、X線逆格子マッピング(Reciprocal space mapping: RSM）測定を用い、低温成長In_xGa_(1-x)As内のIn原子の格子位置を中心に、その結晶構造に関する新たな知見を得たので報告する。