The University of Texas - Pan American;
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:掺有铁调制和无意掺杂GaN缓冲的蓝宝石上生长的GaN / AlGaN / AlN / GaN HEMT的比较:材料生长和器件制造
机译:低位错密度GaN衬底上MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的微波性能和结构表征
机译:AlGaN / GaN MOS-HEMTS使用RF磁控溅射SiO_2栅极绝缘体和退火处理
机译:Algan / Gan Hemt磁控溅射系统。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响