•名古屋大学P型G aNの作製イオン注入で初成功

摘要

名古屋大学(名古屋市千種区不老町、☎052—789—5111)未来材料•システム研究所の加地徹特任教授らの研究グループは、これまでGaNパワーデバイス開発の課題となつていた、イオン注入によるP型結晶の作製に世界で初めて成功した。G aNデバイス集積回路の実現につながる成果として注目される。