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游达; 许金通; 汤英文; 何政; 徐运华; 龚海梅;
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;
AlGaN; 二维空穴气; 极化效应;
机译:Si3N4表面钝化引起的应变凝固增强了GaN / AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的热稳定性
机译:p型AlGaN / AlN / GaN异质结构中二维空穴气体的证据
机译:N极性GaN / Al_xGa_(1-x)/ GaN异质结构的理论研究:考虑到二维空穴和电子气的存在
机译:调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气与光激发空穴之间的辐射复合
机译:砷化铟/铝(x)镓(1-x)锑量子阱中二维电子和空穴的远红外磁光研究。
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有p型掺杂量子势垒的InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的空穴传输增强
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:2种二维电子气共振的量子阱电子结构的GaN基半导体发光器件
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