深亚微米FD-SOI器件表面势模型

摘要

对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽器件正背界面的表面势模型.该模型能够直观地反映DIBL效应,并且整个模型公式是基于物理的,不需要引入无穷级数或迭代过程,计算量小,十分适合EDA集成器件模型的需要.