FD-SOI衬底结构、器件结构的制备方法

摘要

本发明提供一种FD‑SOI衬底结构、器件结构的制备方法，衬底结构的制备方法包括：1)提供FD‑SOI衬底，包括硅基底、埋氧化层及顶硅层；2)于顶硅层上外延生长锗硅层；3)氧化锗硅层，将锗硅层中的锗推进顶硅层，形成顶锗硅层；4)去除氧化反应生成的二氧化硅层；5)于顶锗硅层上外延生长硅材料层。本发明的衬底结构采用顶锗硅层及硅材料层的堆栈结构，作为器件的沟道，该沟道不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。本发明的顶锗硅层上覆盖硅材料层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。