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International Conference on IC Design & Technology
International Conference on IC Design & Technology
召开年:
2018
召开地:
Otranto(IT)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Real-time digital implementation of a principal component analysis algorithm for neurons spike detection
机译:
用于神经元峰值检测的主成分分析算法的实时数字实现
作者:
E. A. Vallicelli
;
F. Fary
;
A. Baschirotto
;
M. de Matteis
;
M. Reato
;
M. Maschietto
;
F. Rocchi
;
S. Vassanelli
;
D. Guarrera
;
G. Collazuol
;
R. Zeitler
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Biosensors;
Field programmable gate arrays;
Avalanche photodiodes;
Clocks;
Principal component analysis;
Detectors;
Real-time systems;
2.
Three-stage single-miller CMOS OTA driving 10 nF with 1.46-MHz GBW
机译:
通过1.46MHz GBW驱动10nF的三级单米勒CMOS OTA
作者:
Alfio Dario Grasso
;
Gaetano Palumbo
;
Salvatore Pennisi
;
Davide Marano
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Gain;
Transistors;
Topology;
Simulation;
Transconductance;
Transient response;
3.
A programmable dynamic range and digital output rate oscillator-based readout interface for MEMS resistive and capacitive sensors
机译:
基于可编程的动态范围和数字输出速率振荡器的读出接口,用于MEMS电阻和电容传感器
作者:
F. Ciciotti
;
C. Buffa
;
R. Gaggl
;
A. Baschirotto
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Capacitive sensors;
Mirrors;
Gas detectors;
Electrical resistance measurement;
Oscillators;
4.
Low-power reference buffer for successive approximation register analog-to-digital converters
机译:
用于逐次逼近寄存器模数转换器的低功耗基准缓冲器
作者:
Stefano DAmico
;
Stefano Marinaci
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Transistors;
Mathematical model;
Power demand;
Switches;
Capacitance;
Transient analysis;
Voltage control;
5.
Fully analog automatic stray compensation for bridge-based differential capacitive sensor interfaces
机译:
完全模拟自动杂散补偿,用于基于桥的差分电容传感器接口
作者:
Gianluca Barile
;
Giuseppe Ferri
;
Francesca Romana Parente
;
Vincenzo Stornelli
;
Alessandro Depari
;
Alessandra Flammini
;
Emiliano Sisinni
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Capacitance;
Capacitive sensors;
Bridge circuits;
Impedance;
Simulation;
Feedback loop;
Voltage control;
6.
About figure-of-merit for continuous-time analog filters
机译:
关于连续时间模拟滤波器的品质因数
作者:
Federico Fary
;
Elia Arturo Vallicelli
;
Marcello De Matteis
;
Andrea Baschirotto
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Power harmonic filters;
Mathematical model;
Bandwidth;
Distortion;
Linearity;
Cutoff frequency;
Gain;
7.
State space model-oriented design for efficiency improvement of Class E power amplifier
机译:
面向状态空间模型的设计,可提高E类功率放大器的效率
作者:
Daniela De Venuto
;
Giovanni Mezzina
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Switches;
Mathematical model;
Power amplifiers;
Optimization;
Zero voltage switching;
Two dimensional displays;
8.
Active filters tuning interface
机译:
有源滤波器调整界面
作者:
A. Leoni
;
L. Pantoli
;
V. Stornelli
;
G. Leuzzi
;
Z. Marinkovic
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Active filters;
Tuning;
Microwave filters;
Optimization;
Voltage control;
Calibration;
Resonator filters;
9.
A 76–81 GHz CMOS down-conversion mixer for automotive radar
机译:
用于汽车雷达的76–81 GHz CMOS下变频混频器
作者:
Dongfang Pan
;
Zongming Duan
;
Lu Huang
;
Yan Wang
;
Yang Zhou
;
Bowen Wu
;
Liguo Sun
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Mixers;
Linearity;
Frequency measurement;
Automotive engineering;
Radio frequency;
Radar;
Transistors;
10.
Low noise active loop filter for radar PLL applications
机译:
适用于雷达PLL应用的低噪声有源环路滤波器
作者:
Andrea Donno
;
Stefano DAmico
;
Roberto Nonis
;
Peter Thurner
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Active filters;
Phase locked loops;
1f noise;
Radar;
Thermal noise;
Phase noise;
Passive networks;
11.
Common emitter and cascode topologies at G band: A comparative study on a single stage 183 GHz power amplifier
机译:
G频段的常见发射极和共源共栅拓扑:单级183 GHz功率放大器的比较研究
作者:
Abdul Ali
;
Elisa Cipriani
;
Paolo Colantonio
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Power generation;
Gain;
Topology;
Transistors;
Silicon germanium;
Stability analysis;
Integrated circuit interconnections;
12.
Solid state power amplifiers for satellite communication: A feasible solution
机译:
卫星通信用固态功率放大器:可行的解决方案
作者:
Paolo Colantonio
;
Elisa Cipriani
;
Rocco Giofré
;
Franco Giannini
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Power generation;
Gain;
Radio frequency;
Bars;
Europe;
Satellites;
13.
Low phase noise K-band VCO and high efficiency E-band power amplifier for mobile network backhaul in SiGe BiCMOS
机译:
SiGe BiCMOS中用于移动网络回程的低相位噪声K波段VCO和高效E波段功率放大器
作者:
A. Mazzanti
;
E. Rahimi
;
N. Lacaita
;
J. Zhao
;
M. Bassi
;
F. Svelto
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Phase noise;
Voltage-controlled oscillators;
Transistors;
Silicon;
Tuning;
Power amplifiers;
Inductors;
14.
DRC code coverage test a novel QA methodology
机译:
DRC代码覆盖率测试一种新颖的质量检查方法
作者:
Yongseok Lee
;
Jaehong Park
;
Mohamed A. Elsayed
;
Maged E. Gadallah
;
Mohamed Alimam
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Layout;
Runtime;
Logic gates;
Manuals;
Integrated circuits;
Manufacturing processes;
Testing;
15.
Test generation for microfluidic fully programmable valve arrays (FPVAs) with heuristic acceleration
机译:
具有启发式加速度的微流体完全可编程阀阵列(FPVA)的测试生成
作者:
Chunfeng Liu
;
Bing Li
;
Bhargab B. Bhattacharya
;
Krishnendu Chakrabarty
;
Tsung-Yi Ho
;
Ulf Schlichtmann
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Valves;
Mixers;
Switches;
Computer architecture;
Test pattern generators;
16.
Wire congestion aware high level synthesis flow with source code compiler
机译:
带有源代码编译器的有线拥塞感知高级综合流程
作者:
Masato Tatsuoka
;
Mineo Kaneko
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Wires;
High level synthesis;
Layout;
Routing;
Multiplexing;
Optimization;
Tools;
17.
Design of AlGaN microring resonators for broadband biphoton excitation
机译:
宽带双光子激发的AlGaN微环谐振器设计
作者:
Vittorio M. N. Passaro
;
Francesco De Leonardis
;
Richard A. Soref
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Photonics;
Correlation;
Resonators;
Couplers;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Resonant frequency;
18.
Memristor models optimization for large-scale 1T1R memory arrays
机译:
大规模1T1R存储器阵列的忆阻器模型优化
作者:
Basma Hajri
;
Mohammad M. Mansour
;
Ali Chehab
;
Hassen Aziza
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Computational modeling;
Memristors;
Solid modeling;
Integrated circuit modeling;
Switches;
Ions;
19.
OTS selector devices: Material engineering for switching performance
机译:
OTS选择器设备:用于切换性能的材料工程
作者:
M. C. Cyrille
;
A. Verdy
;
G. Navarro
;
G. Bourgeois
;
J. Garrione
;
M. Bernard
;
C. Sabbione
;
P. Noé
;
E. Nowak
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Switches;
Doping;
Programming;
Electrodes;
Performance evaluation;
Carbon;
20.
An area efficient low-voltage 6-T SRAM cell using stacked silicon nanowires
机译:
使用堆叠式硅纳米线的区域高效低压6-T SRAM单元
作者:
Ya-Chi Huang
;
Meng-Hsueh Chiang
;
Shui-Jinn Wang
;
Sumeet Kumar Gupta
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Random access memory;
Logic gates;
Gallium arsenide;
Nanowires;
MOSFET;
21.
Embedding hafnium oxide based FeFETs in the memory landscape
机译:
在存储器领域内嵌入基于氧化f的FeFET
作者:
Stefan Slesazeck
;
Uwe Schroeder
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Hafnium oxide;
Three-dimensional displays;
Nonvolatile memory;
Capacitors;
Ferroelectric films;
Logic gates;
22.
Spin transfer torque magnetic random-access memory: Towards sub-10 nm devices
机译:
自旋转移力矩磁性随机存取存储器:面向10 nm以下的器件
作者:
N. Perrissin
;
S. Lequeux
;
N. Strelkov
;
L. Vila
;
L. Buda-Prejbeanu
;
S. Auffret
;
R.C. Sousa
;
I.L. Prejbeanu
;
B. Dieny
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Anisotropic magnetoresistance;
Magnetic tunneling;
Shape;
Junctions;
Thermal stability;
Tunneling magnetoresistance;
Magnetization;
23.
Application fields overview of carbon nanotubes in electronics and propulsion: CNTs photo-ignition by white power LEDs for improved fuels combustion
机译:
碳纳米管在电子学和推进领域的应用领域概述:CNT通过白功率LED光点火以改善燃料燃烧
作者:
Roberto de Fazio
;
Patrizio Primiceri
;
Antonio Paolo Carlucci
;
Paolo Visconti
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Light emitting diodes;
Combustion;
Ignition;
CNTFETs;
Logic gates;
Electrodes;
24.
High voltage IC technology: Continuously evolving challenges
机译:
高压集成电路技术:不断发展的挑战
作者:
Mark Griswold
;
Arash Elhami Khorasani
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
High-voltage techniques;
Switches;
Gallium nitride;
MOSFET;
Capacitors;
Electrostatic discharges;
Logic gates;
25.
Fast multi-parametric method for mechanical properties estimation of clamped — clamped perforated membranes
机译:
夹紧式多孔膜力学性能评估的快速多参数方法
作者:
L. Francioso
;
C. De Pascali
;
P. Siciliano
;
Alvise Bagolini
;
Donatella Duraccio
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Residual stresses;
Young's modulus;
Stress measurement;
Load modeling;
Micromechanical devices;
26.
A review on opportunities brought by 3D-monolithic integration for CMOS device and digital circuit
机译:
回顾CMOS器件和数字电路的3D单片集成带来的机遇
作者:
F. Andrieu
;
P. Batude
;
L. Brunet
;
C. Fenouillet-Béranger
;
D. Lattard
;
S. Thuries
;
O. Billoint
;
R. Fournel
;
M. Vinet
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Transistors;
Metals;
Logic gates;
Thermal stability;
Random access memory;
Circuit stability;
27.
Sequential 3D: Key integration challenges and opportunities for advanced semiconductor scaling
机译:
顺序3D:关键的集成挑战和高级半导体缩放的机会
作者:
A. Vandooren
;
L. Witters
;
J. Franco
;
A. Mallik
;
B. Parvais
;
Z. Wu
;
A. Walke
;
V. Deshpande
;
E. Rosseel
;
A. Hikavyy
;
W. Li
;
L. Peng
;
N. Rassoul
;
G. Jamieson
;
F. Inoue
;
G. Verbinnen
;
K. Devriendt
;
L. Teugels
;
N. Heylen
;
E. Vecchio
;
T. Zheng
;
N. Waldron
;
V. De Heyn
;
D. Mocuta
;
N. Co
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Logic gates;
Thermal stability;
Metals;
Three-dimensional displays;
Resistance;
Bonding;
28.
55 to 59 GHz MMIC non-foster circuit enabled Class-J GaAs pHEMT power amplifier
机译:
55至59 GHz MMIC非加速电路使能的Class J GaAs pHEMT功率放大器
作者:
Charles Nwakanma Akwuruoha
;
Zhirun Hu
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Power amplifiers;
Capacitance;
Microwave amplifiers;
Microwave circuits;
Circuit stability;
PHEMTs;
29.
Ge CMOS technology with advanced interface and junction engineering
机译:
具有先进的接口和结工程技术的Ge CMOS技术
作者:
Yi Zhao
;
Zejie Zheng
;
Junkang Li
;
Dong Ni
;
Rui Zhang
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
MOSFET;
Molybdenum;
Sulfur;
Logic gates;
Annealing;
Passivation;
30.
Optimized in situ heating control on a new MOS device structure in 28nm UTBB FD-SOI CMOS technology
机译:
采用28nm UTBB FD-SOI CMOS技术的新型MOS器件结构的最佳原位加热控制
作者:
Ph. Galy
;
R. Lethiecq
;
M. Bawedin
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Heating systems;
Temperature measurement;
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Metals;
Standards;
Silicon;
31.
Spectral variation analysis of integrated silicon photonics devices by using optical wafer probing
机译:
利用光学晶圆探测对集成硅光子器件的光谱变化进行分析
作者:
Tsuyoshi Horikawa
;
Tohru Mogami
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Optical waveguides;
Optical device fabrication;
Integrated optics;
Optical filters;
Photonics;
32.
Non-tunneling origin of the 1/f noise in SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET中1 / f噪声的非隧道起源
作者:
Kin P Cheung
;
Jason P Campbell
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
1/f noise;
Tunneling;
Interface states;
Silicon carbide;
Electron traps;
Semiconductor device modeling;
33.
Soft failures in integrated circuits as a matter of ESD events
机译:
ESD事件引起的集成电路软故障
作者:
Timm Ostermann
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Electrostatic discharges;
Detectors;
Pins;
Probes;
Standards;
Integrated circuit modeling;
34.
Electrical characterization of process induced effects on non-silicon devices
机译:
对非硅器件的过程感应效应的电学表征
作者:
Chadwin D. Young
;
Pavel Bolshakov
;
Rodolfo A. Rodriguez-Davila
;
Peng Zhao
;
Ava Khosravi
;
Israel Mejia
;
Manuel Quevedo-Lopez
;
Christopher L. Hinkle
;
Robert M. Wallace
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Aluminum oxide;
Logic gates;
Dielectrics;
Molybdenum;
Sulfur;
Annealing;
35.
A smart device for supporting mechanical ventilo-therapy
机译:
支持机械通气疗法的智能设备
作者:
Antonio Vincenzo Radogna
;
Simonetta Capone
;
Giuseppina Anna Di Lauro
;
Nicola Fiore
;
Luca Francioso
;
Flavio Casino
;
Pietro Siciliano
;
Saverio Sabina
;
Eugenio Sabato
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Temperature sensors;
Intelligent sensors;
Diseases;
Biomedical monitoring;
Monitoring;
Ventilation;
36.
Lab on chip for life science: From medical diagnostics to food quality control
机译:
生命科学芯片实验室:从医学诊断到食品质量控制
作者:
Elisabetta Primiceri
;
Maria Serena Chiriacò
;
Giuseppe Maruccio
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Electrodes;
Microfluidics;
Immune system;
Monitoring;
Tools;
Sensitivity;
37.
Design of an Arduino-based platform interfaced by Bluetooth low energy with Myo armband for controlling an under-actuated transradial prosthesis
机译:
蓝牙低功耗与Myo臂环接口的基于Arduino的平台设计,用于控制欠驱动的trans骨假体
作者:
Federico Gaetani
;
Giovanni Antonio Zappatore
;
Paolo Visconti
;
Patrizio Primiceri
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Prosthetics;
DC motors;
Electromyography;
Temperature sensors;
Electrodes;
Muscles;
38.
High-k YCTO thin films for electronics
机译:
高k YCTO电子薄膜
作者:
Anna Grazia Monteduro
;
Zoobia Ameer
;
Silvia Rizzato
;
Angelo Leo
;
Maurizio Martino
;
Anna Paola Caricato
;
Vittorianna Tasco
;
Indira Chaitanya Lekshmi
;
Abhijit Hazarika
;
Debraj Choudhury
;
Elisabetta Mazzotta
;
Cosimino Malitesta
;
D. D. Sarma
;
Giuseppe Maruccio
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Dielectrics;
Junctions;
Logic gates;
Physics;
High-k dielectric materials;
Permittivity;
Capacitance;
39.
Event-driven cooperative-based Internet-of-Things (IoT) system
机译:
基于事件驱动的基于协作的物联网(IoT)系统
作者:
M. Rescati
;
M. De Matteis
;
M. Paganoni
;
D. Pau
;
R. Schettini
;
A. Baschirotto
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Cloud computing;
Servers;
Hardware;
Power demand;
Three-dimensional displays;
Task analysis;
Intelligent sensors;
40.
Time-resolved single-photon detectors: Integration challenges in CMOS technologies
机译:
时间分辨单光子探测器:CMOS技术的集成挑战
作者:
Matteo Perenzoni
;
Manuel Moreno-García
;
Leonardo Gasparini
;
Nicola Massari
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Photonics;
Arrays;
Standards;
Detectors;
Market research;
Crosstalk;
41.
A back biasing voltage generator for 28nm UTBB-FDSOI RVT CMOS digital circuits
机译:
用于28nm UTBB-FDSOI RVT CMOS数字电路的反向偏置电压发生器
作者:
Marcos Mauricio Pelicia
;
Ricardo Pureza Coimbra
;
Pedro Barbosa Zanetta
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Regulators;
Silicon-on-insulator;
Voltage control;
Clocks;
Switches;
Silicon;
CMOS technology;
42.
Evaluation of compensation techniques for CMOS operational amplifier design
机译:
CMOS运算放大器设计的补偿技术评估
作者:
Muhaned Zaidi
;
Ian Grout
;
Abu Khari Aain
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Transistors;
Capacitance;
Power supplies;
Gain;
Capacitors;
Frequency response;
Circuit stability;
43.
会议名称:
《》
44.
Design of a 3T current reference for low-voltage, low-power operation
机译:
用于低压,低功耗工作的3T电流基准设计
作者:
Raffaele De Rose
;
Felice Crupi
;
Maksym Paliy
;
Marco Lanuzza
;
Giuseppe Iannaccone
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Power demand;
Sensitivity;
MOSFET;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
CMOS technology;
45.
Tutorial 1 — ReRAM-based analog synapse devices for neuromorphic system
机译:
教程1 —用于神经形态系统的基于ReRAM的模拟突触设备
作者:
Hyunsang Hwang
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Tutorials;
Synapses;
Switches;
Neuromorphics;
DC-DC power converters;
Pattern recognition;
Reliability;
46.
3D printed wearable sensor tag based on UHF RFID ICs implementing a novel interrogation modality
机译:
基于UHF RFID IC的3D打印可穿戴传感器标签,实现了新颖的询问方式
作者:
Riccardo Colella
;
Luca Catarinucci
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Radiofrequency identification;
Antennas;
Integrated circuits;
Electromagnetics;
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Three-dimensional displays;
47.
Keynote speakers: Molecular Spinterface — From fundamentals to applications
机译:
主题演讲者:Molecular Spinterface —从基础到应用
作者:
Alek Dediu
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Nonvolatile memory;
Spintronics;
Phase locked loops;
Random access memory;
Physics;
CMOS technology;
Mobile applications;
48.
Approximate computing in the nanoscale era
机译:
纳米时代的近似计算
作者:
Antonio G. M. Strollo
;
Darjn Esposito
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Adders;
Approximate computing;
Machine learning;
Resilience;
Program processors;
Clocks;
Logic gates;
49.
A novel priority-driven arbiter for the router in reconfigurable Network-on-Chips
机译:
可重配置的片上网络中一种新型的优先级驱动仲裁器
作者:
Hung K. Nguyen
;
Xuan-Tu Tran
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
asynchronous circuits;
field programmable gate arrays;
network-on-chip;
quality of service;
50.
Delay estimation, chip-power analyses and comparison of single-level and multi-level recursive vedic algorithm with conventional algorithms for digital multiplier
机译:
延迟估计,码片功率分析以及单级和多级递归吠陀算法与数字乘法器常规算法的比较
作者:
Dipankar Pal
;
Akhilesh G. Naik
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2018年
关键词:
Signal processing algorithms;
Complexity theory;
Delays;
Logic gates;
Table lookup;
Hardware;
51.
Nonparabolicity and confinement effects of IIIV materials in novel transistors
机译:
IIV材料在新型晶体管中的非分解性和监禁效应
作者:
Pourghaderi M. Ali
;
Mocuta Anda
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
52.
3D monolithic integration: Stacking technology and applications
机译:
3D单片集成:堆叠技术和应用
作者:
Radu Ionut
;
Bich-Yen Nguyen
;
Gaudin Gweltaz
;
Mazure Carlos
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3D monolithic;
Front End integration;
wafer stacking;
53.
Dimensioning for power and performance under 10nm: The limits of FinFETs scaling
机译:
10nm下的电力和性能的尺寸:Finfets缩放的限制
作者:
Bardon M. Garcia
;
Schuddinck P.
;
Raghavan P.
;
Jang D.
;
Yakimets D.
;
Mercha A.
;
Verkest D.
;
Thean A.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
FinFETs;
design technology co-optimization (DTCO);
scaling;
54.
Selectors for high density crosspoint memory arrays: Design considerations, device implementations and some challenges ahead
机译:
用于高密度交叉存储器阵列的选择器:设计考虑因素,设备实现以及未来的一些挑战
作者:
Govoreanu Bogdan
;
Leqi Zhang
;
Jurczak Malgorzata
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Resistive RAM (RRAM);
bias scheme;
crosspoint memory array;
current drive;
nonlinearity;
selector;
selector variability;
55.
Simple technique for prediction of breakdown voltage of ultrathin gate insulator under ESD testing
机译:
ESD测试下超薄栅极绝缘子击穿电压预测的简单技术
作者:
Mitani Yuichiro
;
Matsuzawa Kazuya
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Anode-hole-injection model;
Breakdown voltage;
ESD;
SiON;
TLP;
56.
Low Standby Power Capacitively Coupled Sense Amplifier for wide voltage range operation of dual rail SRAMs
机译:
低待机功率电容耦合读出放大器,用于双轨SRAM的宽电压范围操作
作者:
Grover Anuj
;
Kumar Promod
;
Daud Mohammad
;
Visweswaran G.S.
;
Parthasarathy Chittoor
;
Noel Jean-Philippe
;
Turgis David
;
Giraud Bastien
;
Moritz Guillaume
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DVFS;
Dual Rail SRAMs;
Sense Amplifier;
Wide Voltage Range;
57.
Assessment of SiGe quantum well transistors for DRAM peripheral applications
机译:
DRAM外围应用的SiGe量子阱晶体管评估
作者:
Ritzenthaler R.
;
Schram T.
;
Eneman G.
;
Mocuta A.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
;
Spessot A.
;
Aoulaiche M.
;
Fazan P.
;
Noh K.B.
;
Son Y.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DRAM;
DRAM periphery circuitry;
Junction leakage;
Low Power applications;
SiGe channels;
58.
Reliability impact of advanced doping techniques for DRAM peripheral MOSFETs
机译:
DRAM外围MOSFET的先进掺杂技术的可靠性影响
作者:
Spessot Alessio
;
Ritzenthaler Romain
;
Schram Tom
;
Aoulaiche Marc
;
Cho Moonju
;
Luque Maria Toledano
;
Horiguchi Naoto
;
Fazan Pierre
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
HKMG;
MOSFET;
NBTI;
PBTI;
59.
Area and routing efficiency of SWD circuits compared to advanced CMOS
机译:
与高级CMOS相比,SWD电路的区域和路由效率
作者:
Zografos Odysseas
;
Raghavan Praveen
;
Sherazi Yasser
;
Vaysset Adrien
;
Ciubatoru Florin
;
Soree Bart
;
Lauwereins Rudy
;
Radu Iuliana
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
60.
Optimal design to maximize efficiency of single-inductor multiple-output buck converters in discontinuous conduction mode for IoT applications
机译:
最佳设计,以最大限度地提高单电感器多输出降压转换器的不连续传导模式,用于IOT应用
作者:
Yamauchi Yoshitaka
;
Yanagihara Yuki
;
Fuketa Hiroshi
;
Sakurai Takayasu
;
Takamiya Makoto
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
buck converter;
discontinuous conduction mode;
single-inductor multiple-output;
61.
Overview of methods to increase linearity of high-performance ADC
机译:
增加高性能ADC线性度的方法概述
作者:
Hua Fan
;
Kehong Liu
;
Airong Liu
;
Lishan Lv
;
Zhiliang Qiao
;
Qiang Li
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
ΣΔ ADC;
Analog-to-Digital Converter;
Flash;
Pipeline;
successive approximation;
62.
Modeling FinFET metal gate stack resistance for 14nm node and beyond
机译:
为14nm节点和超出建模Finfet金属栅极堆垛电阻
作者:
Miyaguchi Kenichi
;
Parvais Bertrand
;
Ragnarsson Lars-Ake
;
Wambacq Piet
;
Raghavan Praveen
;
Mercha Abdelkarim
;
Mocuta Anda
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
FinFET;
Modeling;
contact resistance;
gate resistance;
high-k replacement metal gate;
63.
Preliminary 3D TCAD electro-thermal simulations of BIMOS transistor in thin silicon film for ESD protection in FDSOI UTBB CMOS technology
机译:
FDSOI UTBB CMOS技术中ESD保护薄硅膜中Bimos晶体管的初步3D TCAD电热模拟
作者:
Athanasiou S.
;
Cristoloveanu S.
;
Galy Ph
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
BIMOS transistor;
CMOS;
ESD protection;
FDSOI;
64.
FinFET stressor efficiency on alternative wafer and channel orientations for the 14 nm node and below
机译:
FinFET压力效率替代晶片和14 nm节点和下面的频道方向
作者:
Eneman G.
;
De Keersgieter A.
;
Mocuta A.
;
Collaert N.
;
Thean A.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
FinFETs;
Strain-Relaxed Buffers;
TCAD;
strain;
stress;
65.
Current pulse generator for multilevel cell programming of innovative PCM
机译:
用于创新PCM的多级小区编程的电流脉冲发生器
作者:
Kiouseloglou Athanasios
;
Navarro Gabriele
;
Cabrini Alessandro
;
Torelli Guido
;
Perniola Luca
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
66.
Design technology co-optimization for enabling 5nm gate-all-around nanowire 6T SRAM
机译:
设计技术协同优化,实现5nm门 - 全部纳米线6T SRAM
作者:
Trong Huynh-Bao
;
Sakhare Sushil
;
Ryckaert Julien
;
Yakimets Dmitry
;
Mercha Abdelkarim
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron Voon-Yew
;
Wambacq Piet
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
5nm;
6T SRAM;
CMOS scaling;
DTCO;
Vmin;
embedded memory;
gate-all-around FETs;
nanowire;
on-chip variation;
parametric yield;
vertical FET;
67.
Through silicon via to FinFET noise coupling in 3-D integrated circuits
机译:
通过硅通孔通过3-D集成电路中的FinFET噪声耦合
作者:
Abadi /A/. Rouhi Najaf
;
Guo W.
;
Sun X.
;
Ben Ali K.
;
Raskin J.P.
;
Rack M.
;
Neve C. Roda
;
Choi M.
;
Moroz V.
;
Van der Plas G.
;
De Wolf I.
;
Beyne E.
;
Absil P.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3-D integration;
FinFET;
TCAD;
Through Silicon Via;
noise;
68.
High-speed analog-to-digital converters in downscaled CMOS
机译:
较低的CMOS中的高速模数转换器
作者:
Spagnolo Annachiara
;
Verbruggen Bob
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
69.
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications
机译:
用于电源开关应用的GaN-HEMT中的诱发寄生效应
作者:
Meneghesso Gaudenzio
;
Meneghini Matteo
;
Zanoni Enrico
;
Vanmeerbeek Piet
;
Moens Peter
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
GaN;
HEMT;
breakdown;
defect;
gallium nitride;
leakage;
transistor;
trapping;
70.
Lateral NWFET optimization for beyond 7nm nodes
机译:
超出7nm节点的横向NWFET优化
作者:
Yakimets D.
;
Jang D.
;
Raghavan P.
;
Eneman G.
;
Mertens H.
;
Schuddinck P.
;
Mallik A.
;
Bardon M. Garcia
;
Collaert N.
;
Mercha A.
;
Verkest D.
;
Thean A.
;
De Meyer K.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Lateral gate-all-around FET;
design technology co-optimization (DTCO);
nanowire;
scaling;
71.
PBTI for N-type tunnel FinFETs
机译:
n型隧道FinFet的PBTI
作者:
Mizubayashi W.
;
Mori T.
;
Fukuda K.
;
Liu Y.X.
;
Matsukawa T.
;
Ishikawa Y.
;
Endo K.
;
Ouchi S.
;
Tsukada J.
;
Yamauchi H.
;
Morita Y.
;
Migita S.
;
Ota H.
;
Masahara M.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
PBTI;
activation energy;
lifetime prediction;
n-Type tunnel FinFETs;
threshold voltage;
72.
Impact of device and interconnect process variability on clock distribution
机译:
设备的影响和互连过程变异对时钟分布的影响
作者:
Fievet Nathalie
;
Raghavan Praveen
;
Baert Rogier
;
Robert Frederic
;
Mercha Abdelkarim
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
clock network;
clock skew;
h-trees;
multiple litho-etch;
process variations;
self-aligned double patterning (SADP);
73.
Impact of local interconnects on ESD design
机译:
局部互连对ESD设计的影响
作者:
Scholz Mirko
;
Shih-Hung Chen
;
Hellings Geert
;
Linten Dimitri
;
Boschke Roman
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
CMOS;
ESD design;
VLSI;
component-level ESD;
interconnects;
reliability;
74.
Thermal experimental and modeling analysis of high power 3D packages
机译:
高功率3D包的热实验和建模分析
作者:
Oprins H.
;
Cherman V.
;
Van der Plas G.
;
Maggioni F.
;
De Vos J.
;
Beyne E.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3DIC;
high power;
thermal analysis;
thermal measurements;
75.
Impact of random telegraph noise on ring oscillators evaluated by circuit-level simulations
机译:
随机电报噪声对电路级模拟评估环形振荡器的影响
作者:
Oshima Azusa
;
Weckx Pieter
;
Kaczer Ben
;
Kobayashi Kazutoshi
;
Matsumoto Takashi
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Random Telegraph Noise;
Reliability;
Ring Oscillator;
Variability;
76.
Wide band study of silicon-on-insulator photodiodes on suspended micro-hotplates platforms
机译:
悬浮微热插拔平台上硅 - 绝缘子光电二极管的宽带研究
作者:
Andre N.
;
Li G.
;
Gerard P.
;
Poncelet O.
;
Zeng Y.
;
Ali S.Z.
;
Udrea F.
;
Francis L.A.
;
Flandre D.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
CMOS technologies;
Harsh environment;
Lateral thin-film PIN diode;
Semiconductor photodiode;
Silicon-on-Insulator;
Temperature sensor;
77.
Metallization scheme optimization of plastic-encapsulated electronic power devices
机译:
塑料封装电子功率器件的金属化方案优化
作者:
Ackaert Jan
;
Colpaert Tony
;
Malik Aditi
;
Gonzalez Mario
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
interconnects;
interlayerdielectric;
powerdevice;
stress;
78.
Evaluation of 32-Bit carry-look-ahead adder circuit with hybrid tunneling FET and FinFET devices
机译:
用混合隧道FET和FinFET设备评估32位携带前瞻加法器电路
作者:
Tse-Ching Wu
;
Chien-Ju Chen
;
Yin-Nien Chen
;
Hu Vita Pi-Ho
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
79.
I/O thick oxide device integration using Diffusion and Gate Replacement (DGR) gate stack integration
机译:
I / O厚的氧化物器件集成使用扩散和栅极替换(D&GR)栅极堆栈集成
作者:
Ritzenthaler R.
;
Schram T.
;
Cho M.J.
;
Mocuta A.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
;
Spessot A.
;
Caillat C.
;
Aoulaiche M.
;
Fazan P.
;
Noh K.B.
;
Son Y.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Al;
O;
capping layers;
DRAM periphery transistors;
Diffusion and Gate Replacement (Damp;
GR);
High-k;
I/O devices;
Metal gate;
Mg capping layers;
80.
Impact of fin shape variability on device performance towards 10nm node
机译:
FIN形状可变性对10NM节点的设备性能的影响
作者:
Tomida Kazuyuki
;
Hiraga Keizo
;
Dehan Morin
;
Hellings Geert
;
Jang Doyoung
;
Miyaguhi Kenichi
;
Chiarella Thomas
;
Kim Minsoo
;
Mocuta Anda
;
Horiguchi Naoto
;
Mercha Abdelkarim
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
10nm;
14nm;
Compact Model;
FinFET;
Monte-Carlo;
TCAD;
short channel effect;
variability;
81.
Deadspace-aware Power/Ground TSV planning in 3D floorplanning
机译:
Deadspace-Aware的电源/地面TSV规划3D平面窗
作者:
Shengcheng Wang
;
Firouzi Farshed
;
Oboril Fabian
;
Tahoori Mehdi B.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
82.
A high-speed 2×VDD output buffer with PVTL detection using 40-nm CMOS technology
机译:
具有使用40nm CMOS技术的具有PVTL检测的高速2×VDD输出缓冲器
作者:
Chua-Chin Wang
;
Tsung-Yi Tsai
;
Wei Lin
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
I/O buffer;
PVTL variation;
gate-oxide reliability;
mixed-voltage tolerant;
slew rate compensation;
83.
ESD protection diodes in optical interposer technology
机译:
光学插入技术中的ESD保护二极管
作者:
Boschke Roman
;
Groeseneken Guido
;
Scholz Mirko
;
Shih-Hung Chen
;
Hellings Geert
;
Verheyen Peter
;
Linten Dimitri
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
84.
Plasma induced damage investigation in the fully depleted SOI technology
机译:
血浆诱导全耗尽SOI技术的损伤调查
作者:
Akbal M.
;
Ribes G.
;
Guillermet M.
;
Vallier L.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Fully Depleted silicon-on-insulator (FDSOI) technology;
Plasma induced damage (PID);
Plasma non-uniformity;
85.
Surface orientation dependence of ion bombardment damage during plasma processing
机译:
等离子体加工过程中离子轰击损伤的表面取向依赖性
作者:
Okada Yukimasa
;
Eriguchi Koji
;
Ono Kouichi
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
capacitance-voltage;
ellipsometry;
plasma-induced physical damage;
surface orientation;
86.
Characterization of onset tunneling voltage (V
onset
) walkout in high-voltage deep trench isolation on SOI
机译:
SOI高压深沟槽隔离中的起始隧道电压(V
onSet INM>)罢工的表征
作者:
Thuy Dao
;
Mu-Ling Ger
;
Jiangkai Zuo
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
87.
A 6T-SRAM in 28nm FDSOI technology with Vmin of 0.52V using assisted read and write operation
机译:
28nm FDSOI技术的6T-SRAM,VMIN使用辅助读写操作0.52V
作者:
Kumar Ashish
;
Kumar Vinay
;
Janardan Dhori Kedar
;
Visweswaran G.S.
;
Saha Kaushik
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Low power;
SRAM;
low Vmin;
low voltage;
read assist. SNM;
write assist;
write margin;
88.
Countering early propagation and routing imbalance of DPL designs in a tree-based FPGA
机译:
对基于树的FPGA中DPL设计的早期传播和路由不平衡
作者:
Amouri Emna
;
Bhasin Shivam
;
Mathieu Yves
;
Graba Tarik
;
Danger Jean-Luc
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Dual-rail Precharge Logic (DPL);
FPGA;
Side Channel Attacks;
placement;
routing;
89.
Design of a low-power fixed-point 16-bit digital signal processor using 65nm SOTB process
机译:
使用65nm SOTB过程设计低功耗定点16位数字信号处理器
作者:
Duc-Hung Le
;
Sugii Nobuyuki
;
Kamohara Shiro
;
Xuan-Thuan Nguyen
;
Ishibashi Koichiro
;
Pham Cong-Kha
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DSP;
Fixed-point;
Low-power;
SOTB;
90.
Power measurements and cooling of the DOME 28nm 1.8GHz 24-thread ppc64 μServer compute node
机译:
电源测量和冷却圆顶28nm 1.8GHz 24线PPC64μServer计算节点
作者:
Luijten Ronald P.
;
Cossale Matteo
;
Clauberg Rolf
;
Doering Andreas
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DOME;
SKA;
SOC;
embedded systems;
hot-water cooling;
microserver;
packaging;
power-efficiency;
91.
Impact of time-dependent variability on the yield and performance of 6T SRAM cells in an advanced HK/MG technology
机译:
时间依赖性变化对高级HK / MG技术中6T SRAM细胞产量和性能的影响
作者:
Weckx P.
;
Kaczer B.
;
Roussel Ph J.
;
Catthoor F.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Bias temperature instability;
SRAM;
high sigma;
time dependent variability;
92.
Integrated front-end/back-end simulation of electromagnetic fields, Lorentz force effects and fast current surges in microelectronic protection devices
机译:
电磁场集成前端/后端仿真,洛伦兹力效应和微电子保护装置的快速电流浪涌
作者:
Schoenmaker Wim
;
Galy Philippe
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
93.
Static and dynamic power management in 14nm FDSOI technology
机译:
14nm FDSOI技术静态和动态电力管理
作者:
Weber O.
;
Josse E.
;
Mazurier J.
;
Haond M.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Back bias;
Dynamic Power;
Fully Depleted silicon-on-insulator (FDSOI) technology;
Mismatch;
Static power;
Threshold voltage;
94.
Plasma-induced photon irradiation damage on low-k dielectrics enhanced by Cu-line layout
机译:
通过Cu线布局增强了低k电介质的等离子体诱导的光子辐照损坏
作者:
Ikeda Taro
;
Tanihara Akira
;
Yamamoto Nobuhiko
;
Kasai Shigeru
;
Eriguchi Koji
;
Ono Kouichi
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Cu;
layout;
low-k;
near-field;
plasma damage;
95.
Simple wafer stacking 3D-FPGA architecture
机译:
堆叠3D-FPGA建筑的简单晶圆
作者:
Amagasaki Motoki
;
Qian Zhao
;
Iida Masahiro
;
Kuga Morihiro
;
Sueyoshi Toshinori
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
96.
Off-state stress degradation mechanism on advanced p-MOSFETs
机译:
高级P-MOSFET上的断态应力退化机制
作者:
Moonju Cho
;
Spessot Alessio
;
Kaczer Ben
;
Aoulaiche Marc
;
Ritzenthaler Romain
;
Schram Tom
;
Fazan Pierre
;
Horiguchi Naoto
;
Linten Dimitri
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
MOSFETs;
Off State Stress;
Semiconductor device reliability;
high-k metal-gate;
97.
Low-phase noise variation VCO implementing resistorless digitally controlled varactor
机译:
低相噪声变化VCO实现无线数字控制变容二极管
作者:
Aqeeli Mohammed
;
Alburaikan Abdullah
;
Xianjun Huang
;
Zhirun Hu
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
CMOS;
VCO gain;
figure of merit;
phase noise variation;
tuning range;
98.
NEMS switches: Opportunities and challenges in emerging IC technologies
机译:
NEMS交换机:新兴IC技术的机遇和挑战
作者:
Feng Philip X.-L
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3D integration;
NEMS-CMOS integration;
leakage current;
logic switch;
nanoFET;
nanoelectromechanical systems (NEMS);
power consumption;
relay;
subthreshold swing;
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