其他器件属于《中国图书分类法》中的四级类目,该分类相关的期刊文献有282篇,会议文献有26篇,学位文献有31篇等,其他器件的主要作者有蔡理、李芹、吴刚,其他器件的主要机构有南京电子器件研究所、空军工程大学理学院、中国科学院半导体研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势...
2.[期刊]
摘要: 针对卫星通信、6G通信、物联网技术等射频前端系统对电子元器件高频工作性能的需求,设计了一种工作在W波段的直板型电容式射频(RF)单刀双掷开关。通过优化介电层材...
3.[期刊]
摘要: 随着集成电路设计技术的发展以及半导体制造工艺能力的快速提升,高速大规模的集成电路器件不断涌现。对这类器件的测试能力也提出了更高的要求。常规的采用示波器的模式,...
4.[期刊]
摘要: 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是电力电子设备中的核心器件,被广泛用于轨道牵引、新能源发电、...
5.[期刊]
摘要: 提出了一种基于改进UNet网络的金丝球焊焊点精确分割与测量的新方法。改进UNet网络由编码器和解码器两部分构成,其中编码器主要用来提取图像特征,使用在Imag...
6.[期刊]
摘要: 由温度过高引起的IGBT器件失效率高达55%,提高散热器的散热效率是保证IGBT器件安全可靠运行的基础。通过对IGBT模块水冷散热进行理论分析,提出基于流场-...
7.[期刊]
摘要: 超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性,且易于商业化生产,是在高性能核辐射探测器领域中应用的研...
8.[期刊]
摘要: 由于具有低成本、高性能等优点,目前钙钛矿太阳能电池被广泛关注。此外,SnO_(2)具有禁带宽度适中、载流子迁移率高、减反射性能优异等优点,因此被广泛用作电子传...
9.[期刊]
摘要: 提出了一种基于新型绝缘栅触发晶闸管(Insulated Gate Trigger Thyristor,IGTT)的高功率准矩形脉冲源.采用IGTT作为开关器件...
10.[期刊]
摘要: 传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二...
11.[期刊]
摘要: 因水利渠道在建设过程中混凝土构件常出现裂缝问题,使整体混凝土内部结构受到损伤,减少水利渠道的使用寿命.因此,提出通过构建光纤传感的水利渠道混凝土构件裂缝检测,...
12.[期刊]
摘要: 忆阻器因其电荷随流经电流变化的特性被认为是重要仿生器件之一.制备性能可控稳定的忆阻器是很有意义的.氧空位含量是影响材料阻变特性的关键因素之一,它对器件运行参数...
13.[期刊]
摘要: 基于硅转接板工艺实现了超宽带混频微系统组件的三维异构集成,该混频组件由混频多功能芯片和倍频多功能芯片级联而成.基于晶圆级金-金键合工艺实现了四层高阻硅基板堆叠...
14.[期刊]
摘要: 在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法.在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP...
15.[期刊]
摘要: 基于硅转接板工艺实现了超宽带混频微系统组件的三维异构集成,该混频组件由混频多功能芯片和倍频多功能芯片级联而成.基于晶圆级金金键合工艺实现了四层高阻硅基板堆叠封...
16.[期刊]
摘要: 采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征.系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响....
17.[期刊]
摘要: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要.已经报道的许多载流子控制方法...
18.[期刊]
摘要: 回流焊温变过程中,由于不同材料热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)的不匹配,塑料焊球阵列(plastic ...
19.[期刊]
摘要: 阻变存储器是一种新型非易失性存储器,其在外加电场作用下可实现高阻态和低阻态之间的切换。存储器电极材料和活性层材料的选择及相互作用是实现器件阻变特性的主要因素。...
20.[期刊]
摘要: 高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日...
1.[会议]
摘要: 本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电阻的相互关系进行了分析.在此基...
2.[会议]
摘要: 本文在建立GaAsPCSS的非线性工作模型的基础上,采用二维数值模拟,得到了PCSS的端特性和物理量的瞬态分布,揭示了PCSS在非线性工作时的深层次问题.从模...
3.[会议]
摘要: 本文在建立GaAs PCSS的非线性工作模型的基础上,采用二维数值模拟,得到了PCSS的端特性和物理量的瞬态分布,揭示了PCSS在非线性工作时的深层次问题.从...
4.[会议]
摘要: 电致变色材料被认为是最有应用前景的智能材料之一,在过去几十年里被广泛研究。对聚邻苯二胺、普鲁士蓝、紫罗精、吩噻嗪、聚苯胺等主要的电致变色材料的作了一个概括,介...
5.[会议]
摘要: 对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽...
6.[会议]
摘要: 在毫米波频段,用鳍线结构实现毫米波器件,制作工艺简单,具有优良的电特性.
7.[会议]
摘要: 本文报道了一种新型六端环行器,在4~6GHz工作频带内插入损耗α<,12、23、34、45、56、61>.≤0.6dB,α<,16>≤1.6dB,各端隔离α<...
8.[会议]
摘要: 本文在介绍GPIB、SCPI指令使用的前提下,以某型号光电线性转换模块为例,在Delphi编程开发环境下利用联机控制仪器,实现对光电转换模块线性度的快速测试.
9.[会议]
摘要: 目前已经报道了能够实现"异或"、"或"以及"与非"功能的RST(实空间电荷转移)逻辑器件.本文探索性的提出了一种实现"与"逻辑功能和发光器件结合的RST器件结...
10.[会议]
摘要: 基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了一个混合SET/MOS反相器,进而推出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器。...
11.[会议]
摘要: 随着LED显示屏进入室内,必须重视LED显示屏所产生的照明视觉效应对人类视觉器官的影响,LED显示屏的视觉参数与色度测量需要严格和规范化.本文根据LED显示屏...
12.[会议]
摘要: 无源器件是MMIC电路中必不可缺的部分,本文研究了AlN基板上几种关键无源器件的制作工艺.电阻的方阻为16.85Ω/□,在微波测试中表现出良好特性,电容的漏电...
13.[会议]
摘要: IGBT串联使用中存在驱动信号同步和功率器件电压平衡问题,这两个问题会造成器件的损坏,使得IGBT串联失败.本文对这两个问题及其解决方案进行了分析,并对使用同...
14.[会议]
摘要: 本文利用肖特基二极管的非线性制作了一种用于改善行波管非线性特性的预失真线性化器.这种预失真线性化器利用3dB分支线耦合器的特性,实现输入输出端的良好匹配.随着...
15.[会议]
摘要: 诵过介质埋栅结构设计、器件横向结构设计、胞间平衡设计,解决了栅长与沟道厚度纵横比对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响问题,也解决了大栅宽管芯胞间电流平衡和信号...
16.[会议]
摘要: 功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试设备有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小...
17.[会议]
摘要: 本文介绍一种基于电学法的半导体器件芯片温升及热阻纵向构成分析技术,利用此方法能够准确的测量半导体器件的分热阻构成,为器件热特性设计奠定基础。该方法具有测试速度...
18.[会议]
基于客户应用的半导体分立器件可靠性评价方法——以温度循环试验为例
摘要: 随着国民经济的快速发展,作为现代工业基础的半导体行业也在持续快速发展着。随着电子产品的不断发展,对半导体分立器件可靠性的要求越来越多样化,越来越激烈的市场竞争...
19.[会议]
摘要: 功率分立器件大部分是硅基材料,其生产工艺与集成电路保持一致.出于成本及性能的考虑,分立器件芯片呈现出结构多样化、尺寸微缩化的特点,这对芯片的失效分析提出了更高...
20.[会议]
摘要: 功率分立器件结构上的重要特点是正面和背面几乎全覆盖厚金属层,如正面有数微米厚的铝层,这对漏电定位带来巨大干扰,常规的LC分析、EMMI和OBIRCH存在无法定...
1.[学位]
摘要: 具有垂直各向异性的磁性薄膜在磁性随机存储器(MRAM)、赛道存储、自旋逻辑等器件中具有重要的应用价值,从而引起了广泛的关注。在目前常见的自旋电子器件中,CoF...
2.[学位]
摘要: 三电平IGCT变频器代表了高性能大功率中压传动变频器的主流发展方向,开展高性能大功率三电平IGCT中压传动变频器的自主开发,实现关键技术突破,打破国外垄断和技...
3.[学位]
摘要: 具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料存在晶格和...
4.[学位]
摘要: 近年来,光子晶体因其对电磁波特殊的操控能力引起了人们的广泛兴趣。基于光子晶体概念的光学器件已经可以对电磁波在其中的传播方向、传播速度、能量分布以及色散特性等方...
5.[学位]
摘要: 高压MOS大功率器件是在上世纪九十年代迅速发展起来的新型功率器件.由于其比其他功率器件有许多优良的性能,被工业界广泛应用。近年来,随着我国国民经济的迅猛增长,...
6.[学位]
摘要: 微机电系统(MEMS)基于现代科学技术微型化和智能化的发展趋势而产生,由微驱动器、微型传感器、信号处理和控制电路组成。作为MEMS的核心器件,微驱动器既要求材...
7.[学位]
摘要: 随着无线通信事业的飞速发展,射频工程师和封装工程师面临着电子产品向更高密度,更高稳定性和更多功能性发展的挑战。低温共烧陶瓷(LTCC)技术是解决这个问题的方案...
8.[学位]
摘要: 近年来,伴随着微观组装技术和微观操控技术的迅速发展,人们可以在纳米尺度操控单个分子并将其制造成具有特定功能的分子器件。大多数科学家认为,这些分子器件将是接近尺...
9.[学位]
摘要: 本文采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,较为系统地研究了分子尺度体系如石墨烯纳米带、硼氮纳米带、有机小分子、碳纳米管的电子结构和电子输运性...
10.[学位]
摘要: 相比于传统的CMOS电路,单电子晶体管(single electron transistor, SET)电路具有小尺寸和低功耗等优点。当前工艺下制备出来的SE...
11.[学位]
摘要: 忆阻器是继电阻、电感、电容以外的第四种基本元器件,忆阻器是具有记忆功能的纳米级非线性两端电路元件,忆阻器具有结构简单、同CMOS电路兼容性良好、可集成性高、功...
12.[学位]
摘要: GaN HEMT /SiC MESFET 是近年来发展起来的新一代宽禁带半导体器件,开展GaN HEMT/SiC MESFET 器件测试、建模理论的工作,有助...
13.[学位]
摘要: 本文主要对PIN光电探测器组件进行了研究,首先介绍了本课题的研究背景和意义、国内外研究现状及光电探测器组件的应用。其次分析了PIN光电探测器的工作原理及PIN...