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Modeling of front and back gate surface potential of deep submicro FD-SOI MOSFET

机译：深亚微米FD-SOI MOSFET的前后栅极表面电势建模

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来源
《》|2001年|P.867-870|共4页
会议地点
作者
Cheng Bin Jie; Shao Zhi Biao; Yu Zhong;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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