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(27-300℃)宽温区薄膜全耗尽增强型SOIMOS器件输出特性的研究

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本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOIMOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温区具有良好的输出特性.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|278-281|共4页
会议地点昆明
作者
冯耀兰;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
SOIMOS器件;

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