具有漏极延伸区的横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件

摘要

一种横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件,包含半导体基片、在所述基片上的埋入绝缘层以及在所述埋入绝缘层上的SOI层中的横向PMOS晶体管器件,该晶体管器件具有:形成在n型导电的体区域中的p型导电源区域;邻近所述体区域的n型导电的横向漂移区;p型导电并且通过所述横向漂移区在横向上与所述体区域隔开的的漏极区域;以及在一部分所述体区域上方的门电极,其中沟道区在工作期间形成并且在靠近所述体区域的所述横向漂移区的一部分的上方延伸,所述门电极通过绝缘区域与所述体区域和漂移区绝缘。为了简单地经济地制造PMOS晶体管器件,所述横向漂移区在至少其横向范围的大部分上方设有线性分级电荷分布,并且表面邻接p型导电漏极延伸区域设在所述漂移区中并且从所述漏极区域延伸到源区域附近,但是没有直接与所述源区域接触。