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纳米孔氧化埋层SOI材料制备探索

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本研究利用纳米空腔时对氧吸附的特性,探索新的SOI制备技术,氦-氧共注入纳米孔氧化埋层SOI.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|301-304|共4页
会议地点昆明
作者
张苗; 刘卫丽; 安正华; 林成鲁;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.05;
关键词
SOI材料; 制备技术; 氦-氧共注入;

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专利

1. 硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究 [J] . 张苗 ,多新中 ,林梓鑫 . 功能材料与器件学报 . 1998,第1期
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