一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法

摘要

本发明公开了一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法。该方法将沉积有高K介质材料的支撑片与外延有SiGe层及Si层的器件片键合，并进行键合加固处理，通过背部研磨工艺，去除多余的Si衬底，并通过选择性腐蚀，移除SiGe层，从而可以得到高K介质为埋层的SOI材料，可以更好的控制器件的短沟道效应，为下一代的CMOS器件提供候选的衬底材料。