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四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
召开年:
2007
召开地:
成都
出版时间:
2007-11-24
主办单位:
中国电子学会;四川省电子学会
会议文集:
四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
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1.
PDP驱动逻辑控制电路设计
刘新新
;
段明伟
;
杨帆
;
乔明
;
方健
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文基于自主开发的SOI CD高低压兼容工艺,研制一种64位、工作电压80V、最大输出电流20mA的PDP驱动电路。主要对其逻辑控制电路的结构和工作原理作了详细的分析,按照功能进行了子模块电路的划分,在此基础上进行电路设计与研制,并一次流片成功.
逻辑控制;
电路设计;
驱动电路;
2.
一种简单的高阶补偿带隙基准电压源
范伟力
;
李伊珂
;
罗和平
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
提出了一种结构简单的高精度CMOS基准电压源电路,与传统的带隙电压基准电路相比,只增加一个电阻和一组电流镜,产生含有高阶项的正温度系数电流对VBE的负温度系数补偿,从而得到高精度、低温漂的带隙基准电压源.采用MagnaChip0.5μm标准CMOS工艺,使用HSPICE仿真,在-40~125 ℃温度范围内,温度系数为2.335ppm/℃,电源抑制比65dB.
温度补偿;
带隙基准;
电压源;
3.
一种基于CMOS工艺的电流控制振荡器
胥锐
;
罗和平
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出了一种基于标准CMOS工艺的低成本电流控制振荡器.该振荡器采用恒流源充放电技术,其振荡周期对于温度、电压,以及工艺偏差有较强的容忍能力。电路在输入电压2.7~5.5 V,温度范围-40~85 ℃,以及所有的工艺偏差情况下进行了Hspice验证,结果表明在最坏情况下,振荡器周期的最大偏差小于10%。
电流控制;
振荡器;
CMOS工艺;
4.
DDS的杂散源分析与抑制
马骁
;
蒋奇
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文介绍了一种基于误差反馈以及可调开关策略的高频谱纯度DDS实现方案,通过对杂散源的分析和针对性的抑制使400MSPS 14位的DDS在160MHz输出频率下达到>67dB,1MHz输出频率下>96dB的SFDR。
误差反馈;
匹配误差;
杂散源;
输出频率;
直接数字频率合成;
5.
一种实用的RS-232电平检测电路
杜军
;
李文昌
;
石广源
;
李威
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
给出了一个采用 1.2μm BiCMOS工艺设计的检测RS-232电平是否有效的电路。电路由施密特触发器、或非门单元以及经过改进的能够实现30μs延迟的电容充放电回路组成。该电路结构简单,功能完善,能够将检测到的持续30μs以上的无效信号在输出端以低电平输出,并作为使能信号给芯片内部,关断电荷泵和发送器,节省功耗.
BiCMOS工艺;
触发器;
电平检测电路;
6.
一种电流补偿的带隙基准电路
刘贺
;
李文昌
;
石广源
;
李威
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
传统的带隙基准电路能够产生约15ppm/℃温度系数的基准电压.电路中正温度系数的大小与支路电流的大小密切相关,因此本文通过调节支路电流的大小在-30℃到110℃的温度范围内产生约3 ppm/℃温度系数的基准电压.
温度系数;
电流补偿;
带隙基准电路;
基准电压;
7.
基于软硬件协同测试的数字IC测试仪设计
杜涛
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
在集成电路设计过程中,测试往往是影响产品的重要环节。基于软硬件协同测试技术,本文设计了一款数字IC测试仪.介绍了测试仪的硬件结构及其工作原理,主要包括逻辑功能测试和直流参数测试等内容。讨论了系统的软件设计思想。该测试仪可以广泛用于大量数字IC芯片的测试。
逻辑功能测试;
直流参数测试;
集成电路;
数字测试仪;
8.
微机械加速度传感器的电学模拟
史修芬
;
戴强
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
通过建立微机械电容式加速度传感器的等效电学模型,并用该模型对微机械结构和读出电路进行综合仿真,研究了加速度传感器对不同频率的正弦加速度信号和不同阻尼系数下的阶跃加速度信号的振动位移响应。仿真结果表明,利用等效电学模型可以优化设计微机械系统的整体性能和传感器的机械参数。
加速度传感器;
电学模拟;
振动位移响应;
9.
具有双介质埋层的新型SOI材料研制
陈开锋
;
罗小蓉
;
詹瞻
;
冯志成
;
张正元
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化学机械抛光来实现键合面的平坦化,在高温下对有源片和衬底片进行牢固键合.通过以上等工艺步骤,获得了Si/SiO2/Poly/SiO2/Si共5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点。
埋氧层;
键合;
高压氧化;
化学气相淀积;
多晶硅;
10.
多场限环的优化设计
李东升
;
周益
;
吴东生
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
场限环技术是高压功率器件广泛采用的结终端技术,目前常用的设计方法有解析计算法、局部电离积分法、分步穷举法和BV曲线法。解析计算通常只能完成单场限环的设计,且计算烦琐;局部电离积分法需要专门的软件来完成设计,因此其应用受到限制。本文将对适用于常用器件仿真软件的分步穷举法和BV曲线法做详细介绍,并提出完成多场限环优化设计的方法选择和设计技巧.
场限环;
终端结构;
优化设计;
器件仿真;
高压功率器件;
11.
基于GaN材料MSM紫外探测器的分析与模拟
周兴利
;
杨洪
;
杨谟华
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文对基于GaN材料的对金属-半导体-金属(MSM)光探测器机制进行了分析与模拟,分别对一维和二维理论情况进行了讨论,得到了与物理机制相符合的模拟曲线和结果,并结合模拟结果对MSM光探测器的光电流特性进行了分析。全部模拟工作都是基于器件模拟软件ISE完成的,这对于未来优化设计探测器的性能和结构有很大的意义。
紫外光探测器;
光电流特性;
器件模拟;
12.
一种分段线性温度补偿的基准源
李琛琳
;
王俊
;
吴国营
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
设计出一种基于BiCMOS工艺,针对电压基准源的高阶补偿方法。采用分段线形补偿原理,所设计基准具有较好的温度特性,PSRR.根据SPICE仿真,在其产生的带隙基准电压在-40℃~120℃范围内,得到温度系数仅有2.4ppm/℃.
分段补偿;
带隙基准源;
温度补偿;
13.
基于FPGA的直接数字频率合成器设计
张芸
;
何松柏
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
给出了用一种Altera的FPGA芯片(EPF10K10)来产生频率、相位和幅度可控的正弦波发生器的实现方案,同时介绍了直接数字频率合成技术(DDS)的基本原理和框图。在减少资源利用和保证频率分辨率基础上,输出频率范围基础上提出了一种分割时钟的方法。经过设计和电路测试,输出波形达到了技术要求,控制灵活,性能较好。
数字频率合成器;
现场可编程门阵列;
正弦波发生器;
14.
一种新型压阻式气体传感器及其理论建模
严俊
;
陈向东
;
李辉
;
苏凤
;
罗雪松
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出了一种基于硅压阻效应的新型气体传感器,其结构主要是由制作在硅薄膜表面的惠斯通电桥和在硅薄膜表面积淀的一层聚合物气敏薄膜构成。聚合物气敏薄膜在吸收气体后会导致硅薄膜变形,此变形将通过压阻式惠斯通电桥转变成电压输出.并且,本文应用弹性力学薄板原理建立了该气体传感器中硅薄膜与聚合物薄膜相互作用的理论模型,提出了气体传感器的等效横向气体载荷qg并由此导出了传感器的最终输出公式。理论分析表明该传感器的输出具有很好的线性,而且结构简单、无需加热、可实现高度集成、制作工艺与MEMS工艺技术兼容。
气体传感器;
硅薄膜;
聚合物;
压阻效应;
15.
反激式拓扑中功率输出限制的分析与实现
张爱国
;
杨志飞
;
吴国营
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
反激拓扑变换器在正常工作中有最大功率变换的问题,当输出功率过大会降低变换器的性能,甚至把器件烧掉。本文在分析原理的基础上给出了功率输出限制的具体电路实现方案,使变换器在不同输入电压情况下具有相同的最大功率输出,并对电路进行了讨论分析和验证。
反激变换器;
功率限制;
延迟;
功率输出;
16.
一种用于系统低压启动的振荡器设计
闫安
;
李彬
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计的振荡器采用了不受供电电压影响的固定偏置电流对电容进行充放电,实现了低压启动功能。简单的电路设计,使采用该振荡器的系统可以在低的电源电压的情况下稳定工作。作者采用0.6umCMOS工艺,利用HSPICE对该振荡器进行仿真验证。
振荡器;
低压启动;
电源电压;
仿真验证;
17.
基于CC Ⅱ的低压低功耗电流反馈运算放大器
姚尧
;
陈向东
;
左兵
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
给出了一种结构简单性能优良的改进型第二代电流传输器,并实现了由该电流传输器构成的低压低功耗电流反馈运算放大器.采用TSMC 0.6 μm CMOS工艺,HSPICE环境下对整个电路进行模拟,在±1.5V电源电压工作条件下,该放大器的开环直流增益77dB,转换速率30.2V/μs,整个电路的功耗仅为0.64mW,并且在闭环工作状态下具有恒定的带宽.
电流传输器;
电流反馈;
运算放大器;
18.
一种用于ADC系统基准源Buffer的模型
李春生
;
汪月花
;
刘国庆
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
从ADC系统角度出发,对驱动电阻和开关电容混合负载的直流缓冲器进行了重点分析,建立了电压源基准的缓冲器模型。提出单位增益缓冲器带负载能力与输出电阻和电压精度的关系.通过比较不同的运算放大器,得到输出缓冲器带负载能力对运放输出电阻和跨导的要求。最终,给出缓冲器跨导和单位增益带宽关于采样精度和采样频率的关系式,并从系统角度用MATLAB进行验证。
缓冲器;
运算放大器;
负载能力;
增益带宽;
19.
一种满摆幅高线性度的锯齿波电压产生电路
覃超
;
刘丹
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出了一种新型的锯齿波产生电路,实现了满摆幅输出范围内锯齿波电压信号的高线性度。本文进行了理论分析,提出电路设计的改进方案,最后进行Hspice仿真验证。仿真结果表明改进之后的电路在满摆幅输出情况下能够达到很好的线性度。
满摆幅;
高线性度;
锯齿波产生电路;
电压信号;
20.
K波段波导微带过渡的分析和设计
李钊
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文介绍了一种K全波段的微带探针型波导-微带过渡形式,该形式具有插入损耗低,频带宽等特性。设计过程基于阻抗匹配原理,利用高频设计软件CST进行微带探针尺寸,波导短路面与探针距离以及屏蔽腔结构的分析和优化,得出了可供工程运用参考的设计尺寸.仿真结果和实验测试结果表明该背靠背过渡段在18~26.5 GHz内性能良好,插入损耗小于0.8dB.
波导微带;
探针过渡;
微带探针;
阻抗匹配;
21.
一种新颖的数字控制振荡器
李君阳
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一种用于快速充电器中的振荡电路。该电路采用数字控制的思想,通过设计两个环路来控制RS锁存器的工作状态产生振荡.环路一由RS锁存器的输出经反相和延时后控制S端,环路二通过为电容充放电来控制R端.为了得到实际需要的频率,采用后接两级T触发器分频的结构,可以减小电路中电容的大小,节省了版图的面积.最后用HSPICE软件对电路进行了仿真和验证。
振荡器;
双环控制;
锁存器;
数字控制;
22.
一种抑制工艺偏差的CMOS过温保护电路
游剑
;
刘永根
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
在开关电源的设计中,过温保护模块是必不可少的。本文设计了一种标准CMOS工艺下低工艺偏差的过温保护电路。通过增加电路的匹配性,使过温电路的翻转电平近似与阈值电压无关.该电路结构简单,适于低压工作,温度的迟滞宽度易于调节。使用0.5μm CMOS工艺模型,HSPICE的仿真结果表明该电路对电源电压和工艺参数的变化具有很强的抑制能力。
过温保护;
阈值电压;
工艺稳定性;
开关电源;
23.
一种高精度,低损耗电流采样电路的设计
吴超
;
杨洋
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文在UMC0.6μCMOS工艺下,并利用负反馈结构的运算放大器,设计了一种高精度,低损耗的电流采样电路,结合功率管具体应用于USB开关保护中,构架了相应的运算放大器和静态零功耗电路;仿真结果表明,电路实现了高精度的电流采样和静态零.
运算放大器;
电流采样;
电路设计;
开关保护;
24.
基于LM628伺服系统的激光雕刻机控制
陈国贞
;
赵裔
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
现有的激光雕刻机均采用步进电机加细分电路驱动,容易产生失步和噪声,在高速运动和快速加速时更为严重.针对这一情况,本文提出了用LM628控制器驱动伺服电机,结合LM628内部的PID算法,实现激光雕刻机的高速高精度控制.本伺服系统同样适用于其它类型的数控设备.
伺服电机;
激光雕刻机;
精度控制;
25.
一种用角轮廓实现基于O-Tree表示法的快速模块放置算法
李康
;
四川交通职业技术学院
;
虞厥邦
;
于永斌
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
在超大规模集成电路物理设计的不可划分布局表示法中,O-Tree就被认为是最有效的表示法之一.但它对应的模块放置算法却由于基于约束图及其操作而复杂和费时。在本文中,作者提出了一种用角轮廓实现基于O-Tree表示法的快速模块放置算法,其时间复杂度为O(n)。该算法相对于其它基于O-Tree的模块放置算法,在模块的放置过程中不需要约束图,使模块的放置简单,省时而且高效.在MCNC系列标准实验上的结果验证了算法的有效性。
超大规模集成电路;
布局表示法;
放置算法;
物理设计;
26.
FPGA多标准可配置I/O接口的设计
张雷鸣
;
李平
;
黄国辉
;
杨志明
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
随着FPGA所使用的工艺尺寸逐渐减小和芯片设计技术的逐步完善,FPGA与ASIC之间的性能差异也逐渐减小。正因为如此,越来越多的研究开始集中于FPGA中CLB的内部结构与FPGA的布线算法优化,但是针对FPGA的多标准兼容可配置I/O的研究却极少。本文提供了一种能够同时满足多标准接口应用与可动态配置要求的I/O接口电路结构,并已将其应用在某款采用华虹NEC 0.22um工艺的FPGA芯片中,仿真证明该结构是行之有效的。
芯片设计;
接口;
电路结构;
布线算法;
27.
基于ADS的LC低相噪振荡器的设计与实现
邓腾彬
;
王鲁豫
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文介绍了基于Agilent ADS仿真软件的LC低相位噪声振荡器的设计,通过实验,输出功率达到12dBm,相位噪声-100dBc@10KHz,-114dBc@100KHz,达到了低相位噪声的设计目的。
相位噪声;
振荡器;
输出功率;
仿真软件;
28.
一种基于双极工艺的光电集成放大电路的设计
彭科
;
赵文欣
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出一种基于双极工艺的光电集成电路,并着重论述放大电路的设计与优化。设计电路由两级放大级联构成:第一级为结构简单的跨阻放大器;第二级为可调增益带宽的电压放大器.电路中,各晶体管之间多采用自偏置的结构,电压放大器采用双环反馈控制.与传统的双极工艺光电集成电路相比,该电路具有结构简单,性能优良,能适应不同的工作条件和应用要求等优点。经仿真验证,设计基本符合了预期指标。
光电集成;
双环反馈;
自偏置结构;
增益带宽;
放大电路;
29.
基于FPAA的7阶椭圆函数低通滤波器设计
刘泰源
;
罗和平
;
杜涛
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文运用Anadigm公司的基于开关电容的现场可编程模拟阵列(FPAA)设计和实现了7阶椭圆低通滤波器,该滤波器具有1kHz的通带截止频率,3dB的通带纹波,1.2kHz的阻带截止频率和-60dB的阻带衰减,可以用做抗混叠滤波和音频信号处理领域.
椭圆函数;
开关电容;
低通滤波器;
30.
基于Verilog的双口RAM的设计
雷中科
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文从对信息的高速处理的要求出发,介绍了设计双CPU控制系统的方法及要点,给出了双口RAM的结构,并用Verilog语言给出了关键部分的典型实现,在设计过程中采用数字逻辑方法解决了2个CPU对双口RAM同时进行写操作时产生冲突的问题。对程序进行了仿真,仿真结果与预期结果一致,说明该实现双口RAM的方法可行。
CPU控制;
数字逻辑;
程序仿真;
31.
一种具有自举功能的高速BiCMOS栅驱动电路
王敏
;
罗翱
;
罗萍
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出了一种适用于降压型DC-DC转换器的BiCMOS栅驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术,响应速度快.文章详细地介绍了该驱动电路的设计思想,并给出了最终设计电路。电路基于0.6μm BCD工艺模型,经HSPICE仿真验证达到设计目标。
转换器;
自举升压;
驱动电路;
32.
一种用于锁相环的新型全差分电荷泵结构
李栋
;
宁宁
;
于奇
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
通过分析电荷泵的非理想效应,深入研究和比较用于锁相环的电荷泵的典型结构,提出了一种新型全差分电荷泵结构。基于0.18 μm标准CMOS工艺在Hspice环境下的仿真结果表明,工作电流仅20μA,充放电电流匹配度高,差分输出波动小于0.01%。
锁相环;
电荷泵;
电流匹配;
33.
一种含有温度和工艺补偿的振荡器的设计
胡雪松
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一种包含温度和工艺补偿的振荡器.通过改进振荡器内部的偏置电路为振荡器提供温度与工艺的补偿.同时通过在振荡器后端加上延迟电路,可产生芯片中需要的窄脉冲.典型情况下,振荡频率为132kHz,随温度与工艺的变化比较小,且结构简单,易于集成,适用于DC-DC转换器等多种应用场合.
振荡器;
温度补偿;
工艺补偿;
34.
DC/DC BOOST转换器中误差放大器的设计与应用
陈跃东
;
李俊宏
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文介绍了一种CMOS工艺BOOST CONVERTER电路中误差放大器设计方法,当MOS管工作在亚阈值传导区时,误差放大器的跨导随偏置电流线性变化。利用此属性,结合特殊设计的外围电路,可以极大的优化系统环路设计.通过在放大器中引入内部正反馈,增大了放大器的第一级增益,结合大尺寸的差分对,减小了放大器的输入失调电压.
亚阈值传导;
转换器;
误差放大器;
CMOS工艺;
35.
视频解码芯片ITU 656格式转换电路研究
向多春
;
陈庆华
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
阐述了视频解码芯片ITU 656视频数据格式转换算法的设计方法和思路,结合该算法对电路的硬件结构、控制的实现等部分进行了详细介绍,并给出了算法的仿真结果图。整个电路经过仿真验证,可以应用于型谱项目视频解码芯片的设计之中。
格式转换;
视频解码芯片;
转换电路;
36.
一种高电源抑制比低压降的CMOS线性稳压器
李锐
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
随着片上系统(SoC)的发展,一颗芯片上不仅集成了低频模拟电路,而且集成了数字电路和射频电路。射频电路和数字电路产生的高频噪声会通过电容耦合到电源上,而对整个电路产生不利影响。在这种电路中,采用线性稳压器对电源噪声敏感的电路供电,起到隔离噪声的作用。本文提出了一种高电源电压抑制(PSR),低电源压降的线性稳压器(Regulator)。在CSMC 0.6μm标准CMOS工艺参数下仿真表明在高频下,这个电路可以达到大于-40dB的PSR,最小电源压降0.8V.
片上系统;
电源电压抑制;
电源压降;
线性稳压器;
高频噪声;
37.
可占空比调整及倍频的全数字延迟锁定环的设计
向志华
;
何弢
;
黄国辉
;
侯伶俐
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文介绍了一种全数字控制实现的延迟锁定环DLL电路,该电路具有实现简单,无累积相位差,对工艺和噪声不敏感等一系列优点。DLL可以提供零传输时延时钟并且提供高级的时钟域控制.使用DLL可以用来实现多种电路并简化系统级设计.文中分析了DLL的结构及其工作原理,并给出了一种用于调整输出信号占空比以及信号倍频的电路。
延迟锁定环;
锁定窗;
时钟倍频;
数字控制;
38.
钛酸锶与砷化镓的(001)异质结构
杨果来
;
刘诺
;
倪建刚
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
介绍第一性原理计算SrTiO3与GaAs的(001)表面构成的异质结界面。采用软件模拟构成异质结,以半导体材料GaAs作为衬底,而由于(001)表面GaAs旋转45°的晶格常数与SrTiO3的晶格常数接近,可构成良好的异质结.讨论其SrO-Ga和SrO-As界面异质结界面处能量,比较得到SrO-As界面异质结构更稳定。而异质结的能带图和电子态密度分析,得出界面出现了导电现象,可看作一层薄的导体,就其原因是界面原子存在的悬挂键造成的。
能带图;
电子态密度;
钛酸锶;
砷化镓;
异质结构;
39.
大功率SiGe晶体管的过温保护电路设计
刘华
;
张庆中
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文利用SiGe与传统的硅工艺技术兼容,尤其是于CMOS工艺兼容等特点,设计一种过温保护电路,实时有效的控制SiGeHBT的工作。取代长期以来使用的外加发射极镇流电阻的方法,以简单通用更便于集成的方式防止了SiGeHBT大电流聚集超温烧毁的问题。经检验成功实现了对功率SiGeHBT的有效保护,并避免了加镇流电阻引起的输出功率,功率增益,功率附加效率(PAE)和饱和压降的退化现象。
电流集中;
过温保护;
晶体管;
功率增益;
40.
界面氧化层与GaN肖特基二极管电特性相关性研究
于志伟
;
周伟
;
罗谦
;
杜江峰
;
靳翀
;
夏建新
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文对不同浓度的n-GaN样品表面氧化层去除前后的肖特基接触的电学特性做了对比研究,通过对I-V,C-V特性的测量分析,量化了界面氧化层的存在对肖特基接触的电学性质的影响。实验发现氧化层的去除使肖特基接触的势垒高度降低0.05-0.1、eV,通过势垒降低量计算得到的氧化层的厚度约为0.5nm.在氧化层去除以后,相同电压条件下的正反向电流都有所增加,反向击穿电压降低为原来的50%左右,肖特基结的电容大约增加一倍.
氧化层;
势垒高度;
二极管;
肖特基接触;
电学特性;
41.
考虑自热效应的GaN HEMT大信号模型
陈力
;
杜江锋
;
罗谦
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文针对GaN HEMT器件显著的自热效应,通过改进原有的CURTICE大信号模型,建立了包括器件自热效应的大信号模型。模型参数通过实测的S参数曲线和静态直流I-V曲线提取.比较仿真结果与实测结果,拟合误差小于2.53%,吻合较好。改进后的模型更准确地反映器件的工作特性,应用于GaN HEMT功率MMIC CAD中能进一步提高电路的设计精度。
大信号模型;
自热效应;
参数提取;
工作特性;
42.
SiGe非选择性图形外延技术的实现与测试
周谦
;
韩春
;
李竞春
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
为解决SiGe BiCMOS高温工艺与低温工艺的兼容性问题,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)与位错密度测试。测试结果表明,SiGe薄膜表面平均粗糙度为0.45nm,位错密度为0.3×103cm-2~1.2×103cm2,图形边界处薄膜生长均匀,阶梯结构层次明显,未出现位错堆积.该技术生长的SiGe薄膜满足SiGe BiCMOS制备要求。
图形外延;
薄膜生长;
位错密度;
43.
GCNMOS结构电源和地之间的ESD保护电路设计
张帅
;
李文昌
;
石广源
;
李威
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文分析了电源和地之间ESD保护电路的必要性,研究了用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压超过了3KV.
栅极耦合;
保护电路;
版图设计;
44.
带有积分器结构的PWM控制器电流采样电路
林少芹
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文基于反激式变换器拓扑结构特点及电流模式控制开关电源的基本原理,提出了一种适用于PWM控制器内部的电流采样电路的设计方案,其新颖之处在于在采样电路中加入了积分器结构,能够较好的实现PWM控制器对电路实现恒定电流输出控制的功能。本文在最后给出了该设计方案具体的实现电路,并对电路进行了讨论分析和仿真验证。
变换器;
控制器;
电流采样;
积分器;
拓扑结构;
45.
开关DC_DC变换器双斜坡补偿技术设计
罗和平
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文讨论了一种采用双斜坡补偿技术的峰值电流模式控制PWM升压型DC_DC变换器结构,利用双斜坡信号差模输入方法有效消除了单斜坡补偿技术中存在的电路干扰对斜坡信号斜率造成的误差.利用一个求和比较器电路同时实现了电压和电流的双环反馈以及双斜坡补偿,提高了变换器的瞬态响应速度。
峰值电流;
双斜坡补偿;
变换器;
瞬态响应;
46.
一种应用于Gm-C低通滤波器的新型OTA
冯河川
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
提出一种新型全差分跨导放大器(OTA),应用补偿结构大幅提高了线性度,达到THD<-110dB@1V.更加重要的是,在稳定Gm值的同时没有牺牲输入摆幅范围。将此OTA应用于4阶Bessel滤波器,达到较好效果。此文采用5V电压下的0.6μmCMOS工艺.
低通滤波器;
放大器;
补偿结构;
47.
一种带电源和温度补偿的频率稳定振荡器设计
李彬
;
张波
;
刘丹
;
覃超
;
阎安
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一种受电源电压和温度影响很小的振荡器.该振荡器内部的V-I转换电路实现了电源电压的补偿,两种温度系数相反的电阻实现了温度补偿,同时内置简单的低电平调节电路,可用来调节振荡信号的占空比。典型情况下,振荡频率为600kHz,且受电源电压和温度变化影响很小。该振荡器结构简单,易于集成,非常适用于作为DC-DC转换器内部的时钟信号和占空比控制信号的产生器.
振荡器;
电源电压;
温度补偿;
48.
一种CMO低压电流反馈运算放大器的分析和设计
杜广涛
;
陈向东
;
王红艳
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
设计了一种CMOS电流反馈运算放大器,通过在输出端采用电阻反馈,增强带负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点,通过高输出阻抗镜像电流镜增大了电路的增益,并用共源共栅电流源为电路提供偏置电流以减小电源电压的变化对偏置电流影响。使用BSM3 0.5um CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽,电路参数为:91.4dB增益,676MHz的单位增益带宽,60度的相位裕度,141dB共模抑制比以及在1V电源电压仅产生0.8mW的功耗.
电流反馈;
运算放大器;
增益带宽;
偏置电流;
49.
一种具有降压转换功能的升压转换器设计
刘丹
;
覃超
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文介绍了一种具有降压转换功能的升压转换器的设计,作为一种SEPIC或者升/降压转换器的低成本替代方案,可以在输入电压超过输出电压的情况下,有效调节升压转换器的输出.本电路基于UMC0.6 um BCD工艺设计,经Hspice仿真验证达到设计目标。
升压转换器;
背栅控制;
工艺设计;
降压转换;
50.
一种防EMI具有补偿功能的频率抖动电路
张妹雄
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
频率抖动技术已用于减小数字系统时钟所产生的电磁干扰(EMI),它的工作原理是通过对初始固有频率进行调制,将单次谐波的能量驱散至某个频带,从而降低处于谐波频率的EMI幅值。在开关电源中,引入频率抖动技术可以降低EMI,但会引起变换器输出电压的不稳定。为了能有效地减小电磁干扰,并使输出电压稳定,本文提出了一种新颖的具有补偿功能的频率抖动电路。
电磁干扰;
频率抖动;
反馈补偿;
51.
一种高性能全差分运算放大器的分析与设计
黄超
;
荣丽梅
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
分析并设计了一种带共模反馈电路的CMOS全差分运算放大器.该运算放大器采用套筒式的共源共栅放大器和DDA结构的共模反馈电路,从而获得了较好的性能。基于TSMC 0.35 μm CMOS工艺,在3V电源电压下,HSpice仿真结果表明,直流开环增益为73.2dB,单位增益带宽为195MHZ.
共模反馈;
共源共栅;
运算放大器;
52.
一种恒跨导轨对轨CMOS运算放大器
许力
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一种输入级采用跨导补偿方式实现跨导恒定的CMOS运算放大器,利用这种方式理论上可以实现完全恒定的输入级跨导。输出级采用了工作点稳定电路,使电路的静态工作点不受共模输入电压的影响。电路0.6μm标准CMOS工艺模型下仿真,输入级跨导在3V电源范围内最大变化量小于3%,对于1pF//1MΩ负载获得110dB直流增益,及21MHz单位增益带宽;10pF//10kΩ负载分别为90dB、11MHz.
运算放大器;
跨导补偿;
增益带宽;
53.
一种CMOS过温保护电路的设计
季汝敏
;
沈磊
;
杨跃
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
在功率集成电路中,过温保护电路是必不可少的子电路之一。本文提出了一种基于0.6μm工艺的CMOS过温保护电路,该电路利用双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数的特性检测芯片的工作温度。电路结构简单,功耗低,对温度的迟滞特性避免了热振荡现象的发生。HSPICE仿真结果表明该电路工作性能优异.
过温保护电路;
迟滞功能;
集成电路;
54.
一种用于PSM变换器的电流基准源
邓雯君
;
罗萍
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一种采用优化PSM调制模式的DC-DC电源芯片的电流基准源模块,该基准为电源芯片的其它子模块提供稳定、高精度的偏置电流.在高精度的基准电路中使用带隙电路,使电路获得一个不受电源电压和温度影响的带隙基准电压,再将该基准电压转换成一个负温度系数的电压,与电阻进行温度补偿获得稳定的基准电流.整个电路采用0.5μm标准CMOS工艺,HSPICE仿真分析表明:当温度从-40℃变化到125℃时,电流输出仅变化了0.04μA.
带隙基准电压;
电流基准;
温度补偿;
变换器;
55.
一种具有快速建立时间的新型LDO线性稳压器
陈长江
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文提出了一种具有快速建立时间的新型2.6V/200mA输出LDO线性稳压器.LDO中的误差放大器摆率与其静态电流无关,因此可以在比较小的静态电流条件下,提供非常快速的瞬态响应和比较小的电压跳变.仿真结果表明,在输出200mA电流时,该稳压器的线性调整率和负载调整率的典型值分别为3.18mV/V和10μV/mA,瞬态恢复建立时间小于1.6μs,输出压差为295mV,静态电流(不含基准源)为36μA.在输出电容等效串联电阻(ESR)比较大的变化范围内均可保证足够的相位裕度。
稳压器;
线性调整率;
负载调整率;
相位裕度;
56.
一种用于双积分ADC的轨到轨运算放大器的设计
杨荣彬
;
唐广
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文在综合运放基础理论和系统特定要求的基础上设计了一个用于双积分ADC的高共模抑制比、低带宽、恒跨导、轨到轨的运算放大器.在5V电源电压下,采用TSMC 0.5μm CMOS工艺模型参数的Spice仿真结果显示,在120dB直流增益的基础上实现了125dB以上的共模抑制比、2MHz的带宽、6%的跨导变化,达到了系统应用要求。
共模抑制比;
恒跨导;
运算放大器;
57.
FPGA多功能查找表设计及应用
古华
;
曾波
;
冯新鹤
;
丛伟林
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
随着IC产业发展的突飞猛进,为了迎合各科技领域的要求,FPGA作为可编程逻辑器件,更具有其生命力。如今,多款FPGA内部已嵌入了CPU、DSP和RAM等扩展模块,以适应高端领域的研发,开始向着高性能和高容量的片上可编程系统方向发展。作为FPGA内部大量重复的、用来实现基本逻辑功能的函数发生器LUT,其设计与优化更为重要。本文介绍CLB中基本逻辑功能函数发生器LUT,以及其实现多种功能的结构及应用,此设计已应用于某款FPGA芯片中,并验证了其结构的可行性。
可编程逻辑器件;
函数发生器;
扩展模块;
58.
一种新颖的欠压保护电路设计
朱伟
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一种新颖的应用于反激式变换器中的欠压保护电路,它不同于一般的欠压保护电路。在一般的欠压保护电路中,比较器的输入端分别是输入电压和基准电压.而本文从反激式变换器的原理出发,提出了一种新的电路结构,它通过检测能反映输入电压大小的中间变量来作为比较器的输入端.经Hspice仿真其功能满足设计要求。
变换器;
欠压保护;
电路结构;
59.
一种基于1.5μm BJT工艺的硅基光电探测器设计
李珂
;
刘娟
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文在原有双极工艺的基础上设计了一种可集成的硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与双极工艺兼容的工艺制程。借助仿真器,分析表明:未添加增透膜,器件光敏面面积为800×1000μm2,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.36A/W,-3dB带宽为50MHz.
双极工艺;
光电探测器;
响应度;
60.
带隙基准源曲率补偿方法分析
程亮
;
于奇
;
杨谟华
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
二次温度补偿的高精度带隙基准源是高性能模拟和数模混合集成电路的重要组成部分,其精度影响了整个系统的精度。本文对一次温度补偿的带隙基准源的基本原理进行了分析,着重介绍了三种新颖的基于亚微米工艺的带隙基准源二次温度补偿方法并分析比较了三种方法的性能优劣.
带隙基准源;
曲率补偿;
温度系数;
集成电路;
61.
一种采用增益增强方法的能隙电压基准源
金建华
;
刘布民
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
从典型的能隙电压基准基本原理入手,分析了增益提高电路的工作原理,设计了一种带有增益提高电路的能隙电压基准源电路,采用sinomos公司1um工艺模型,TT工艺角,经过cadence spetre仿真验证,所设计的电路具有良好的温漂特性和电源抑制特性,整个电路消耗的电流大约为50uA.
能隙电压基准源;
增益增强;
温漂特性;
62.
高增益功率放大器设计
白凡
;
王鲁豫
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
本文设计了一个工作于27MHz、输出功率32dBm的固态功率放大器.采用两级级联的方式实现,总功率增益达到35dB.在没有相应频点的S参数的情况下采用参数回推的方法确定了在该频点处的S参数。并通过ADS软件对功放进行了设计、仿真和优化。最后对实物进行了调试和测试,使其达到了预期目标。
功率放大器;
参数回推;
功率增益;
63.
一种基于VHDL的信息帧发送电路
于磊
;
谢广钱
;
魏家贵
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会》
|
2007年
摘要:
采用VHDL语言设计了数字通信系统中常用的信息帧发送电路,并在Xilinx公司开发的ISE7.li平台上进行了仿真验证,详细说明了关键部分的设计过程,给出了综合后的RTL级电路结构图和适于远程发送的硬件电路结构。
信息帧;
VHDL语言;
数字通信;
电路结构;
意见反馈
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