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Top surface roughness reduction of high-k dielectric materials using plasma based processes

机译:使用基于等离子体的工艺降低高k电介质材料的表面粗糙度

摘要

A system and method for manufacturing semiconductor devices with dielectric layers having a dielectric constant greater than silicon dioxide includes depositing a dielectric layer on a substrate and subjecting the dielectric layer to a plasma to reduce top surface roughness in the dielectric layer.
机译:用于制造具有介电常数大于二氧化硅的介电层的半导体器件的系统和方法,包括在基板上沉积介电层并使介电层经受等离子体以减小介电层的顶表面粗糙度。

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