具有双介质埋层的新型SOI材料研制

摘要

本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化学机械抛光来实现键合面的平坦化,在高温下对有源片和衬底片进行牢固键合.通过以上等工艺步骤,获得了Si/SiO2/Poly/SiO2/Si共5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点。