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4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制

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摘要

硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|14-16|共3页
会议地点昆明
作者
谭卫东; 刘六亭; 马林宝; 陆春一;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN304.4;
关键词
硅外延片; 外延层缺陷; 缺陷分析; 控制方法;

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