带浅表外延层的外延片形成方法及其外延片

摘要

一种形成用于MOSFET的外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)形成第一掺杂外延层；(b)在所述第一外延层上形成第二掺杂外延层，其中所述第二外延层的厚度小于第一外延层，并且其掺杂率低于所述第一外延层的掺杂率。本发明的外延片形成方法形成两层不同的外延层。其中第二外延层较浅并且掺杂率较低，从而使得采用所形成之外延片的MOSFET的栅极氧化物上流经的电流较少，从而提供所述MOSFET的稳定性。