University of California, Los Angeles.;
机译:压力下分子束表位(MBE)砷化镓(GaAs)/砷化铝铝(GaAlAs)量子阱的深层瞬态光谱法(DLTS)和光致发光(PL)研究:谱带不连续性的鉴定,
机译:分子束外延砷化镓中锰的掺入行为
机译:大体积砷化镓在砷化镓和锗衬底上的外延生长
机译:新型零静态偏压瞬态电流谱技术在低温下分子束外延生长退火的半绝缘砷化镓外延层中电子陷阱的定量分析
机译:恒定电容深层瞬态光谱法研究(100)和(311)B分子束表型砷化镓深层。
机译:基于砷化镓材料的太赫兹单片集成倍频器的设计
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。