外延片形成方法及使用该方法形成的外延片

摘要

本发明提出一种外延片形成方法及使用该方法形成的外延片，所述外延片形成方法，包括如下步骤(a)形成第一外延层，其掺杂率随所述外延层的厚度而变化；(b)在所述第一外延层上形成第二外延层，其掺杂率恒定。本发明的外延片具有两层不同的外延层。其中第二外延层的掺杂率保持恒定，而第一外延层的掺杂率随厚度的变化而变化。这样通过对靠近基底的第一外延层的掺杂率进行调节从而改进使用所述外延层的功率MOSFET的BVDSS和RDSON特性。