Analysis of Defect Structures in 4H Silicon Carbide Bulk Crystals, Epitaxial Layers and Power Devices

著录项

• 作者

  Guo, Jianqiu.;

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• 作者单位

  State University of New York at Stony Brook.;

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• 授予单位 State University of New York at Stony Brook.;
• 学科
• 学位 Ph.D.
• 年度 2018
• 页码 150 p.
• 总页数 150
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI10817616;
• 关键词

  Characterization; Crystal growth; Defect structures; Silicon carbide; Wide bandgap semiconductor;

  机译：特征;水晶生长;缺陷结构;碳化硅;宽带隙半导体;
• 入库时间 2022-08-17 12:01:48