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郭常霖;
无;
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:用电子束感应电流法对4H-SiC外延层中的晶体缺陷进行无损分析
机译:通过双极结型晶体管中的自旋相关复合,直接观察4H SiC外延层中的寿命杀灭缺陷
机译:厚GaN中的纳米结构和晶体缺陷,用于电力电子开关的SIC外延层
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:气相生长GaAs外延层表面形貌与晶体缺陷的相关性
机译:用电子束感应电流法测量6H siC中晶体缺陷对少数载流子扩散长度的影响
机译:sic的enkristall,生产sic的sic,sic的方法-带外延层的记录,制造具有外延层的sic盘的方法以及基于sic的电子设备
机译:半导体中的晶体缺陷观察的样品生产方式和晶体缺陷观察方式无效
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