公开/公告号CN110620039A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 福建北电新材料科技有限公司;
申请/专利号CN201910910409.X
申请日2019-09-25
分类号
代理机构北京超成律师事务所;
代理人郭莲梅
地址 362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
入库时间 2024-02-19 15:53:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20190925
实质审查的生效
2019-12-27
公开
公开
机译: 碳化硅锭的制造方法,碳化硅籽晶衬底,碳化硅衬底,半导体器件以及半导体器件的制造方法
机译: 碳化硅半导体衬底,制造碳化硅半导体衬底的方法以及制造碳化硅半导体器件的方法,其中在基底衬底的与形成外延层的主表面相对的背面上形成凹陷抑制层
机译: 碳化硅二极管,碳化硅晶体管以及制造碳化硅半导体器件的方法