碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法

摘要

本发明提供了一种碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法，它们都实现了导通电阻的减小。碳化硅衬底(10)是具有主表面的碳化硅衬底(10)，并且包括：SiC单晶衬底(1)，其形成在所述主表面的至少一部分中；以及基底构件(20)，其被设置成环绕所述SiC单晶衬底(1)。所述基底构件(20)包括边界区域(11)和基底区域(12)。边界区域(11)在沿着所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且在边界区域(11)内部具有晶粒边界。基底区域(12)在垂直于所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且具有的杂质浓度高于所述SiC单晶衬底(1)的杂质浓度。