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离子束增强沉积法合成AlN薄膜

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利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10<'8>Ω,绝缘性能良好可代替SiO<,2>作为SOI材料的绝缘埋层.

著录项

来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|292-295|共4页
会议地点昆明
作者
门传玲; 郑志宏; 多新中; 徐政; 林成鲁;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
离子束增强沉积; AlN薄膜; 制备技术;

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