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基片温度对氧离子注入硅形成SOI材料的影响

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摘要

系统地研究了氧离子注入时基片的温度对形成硅-绝缘体(SOI)材料的影响.研究结果表明:在氧离子注入时基片温度为550℃,注入能量为150 keV,注入剂量为1.8×1018ions/cm2的条件下,能够形成质量良好的SOI材料.

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来源
《哈尔滨理工大学学报》 |2000年第5期|57-59|共3页
作者
苗伟;
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作者单位

哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080;

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正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
离子注入; SOI材料; 基片温度;

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