法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20100915 终止日期:20160206 申请日:20090206
专利权的终止
2010-09-15
授权
授权
2009-09-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-07-22
公开
公开
机译: 半导体结构,具有进入半导体衬底和电绝缘埋层的低沟槽,以及在绝缘沟槽的低沟槽中形成的用于接触埋层的低阻抗接触
机译: 硅半导体器件中形成埋层的方法
机译: 在两个埋层电介质层上形成具有半导体器件的器件的方法