首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films >Summary Abstract: A review of silicon‐on‐insulator formation by oxygen ion implantation

【24h】

Summary Abstract: A review of silicon‐on‐insulator formation by oxygen ion implantation

机译：摘要摘要：氧离子注入在绝缘体上形成硅的综述

获取原文

获取外文期刊封面目录资料

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

Not Available

机译：无法使用

著录项

来源
《Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films》 |1984年第2期|P.597-598|共2页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Optical properties of ion-implanted silicon and separation by implantation of oxygen silicon-on-insulator substrates in the infrared: Study of B~+ and P_2~+ implantation doping [J] . C.C. Katsidis, D.I. Siapkas Thin Solid Films . 2009,第15期

机译：离子注入硅的光学性质以及在绝缘体上的氧硅在红外中的注入分离：B〜+和P_2〜+注入掺杂的研究
2. In-depth profiling of electron trap states in silicon-on-insulator layers and local mechanical stress near the silicon-on-insulator/buried oxide interface in separation-by-implanted-oxygen wafers [J] . Yoshikata Nakajima, Takahiro Toda, Tatsuro Hanajiri, Journal of Applied Physics . 2010,第12期

机译：植入氧晶片中绝缘体上硅层中电子陷阱状态的深入剖析以及绝缘体上硅/埋入氧化物界面附近的局部机械应力
3. Summary Abstract: Ion implantation dependence of the defect reduction in silicon on sapphire during double solid phase epitaxial regrowth [J] . Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films . 1985,第3期

机译：摘要摘要：双固相外延再生中硅对蓝宝石上的缺陷减少的离子注入依赖性
4. Effect of Thermal Ramping and Annealing Conditions on Defect Formation in Oxygen Implanted Silicon-On-Insulator Material [C] . Krause, S.J., Park, . 2001

机译：热升温和退火条件对注入氧的绝缘体上硅材料中缺陷形成的影响
5. Separation by plasma implantation of oxygen with plasma immersion ion implantation to form silicon-on-insulator. [D] . Iyer, S. Sundar Kumar. 1998

机译：通过等离子体注入氧气和等离子体浸没离子注入进行分离，以形成绝缘体上硅。
6. Abstract: Five-Year Safety Data from the Breast Implant Follow-up Study: Comparison of Silicone Implants with National Norms and Saline Implants in More Than 48000 Subjects Following Breast Augmentation [O] . Navin Singh, George J. Picha, Andrew Schumacher, 2016

机译：摘要：乳房植入物后续研究的五年安全性数据：在隆胸术后48000多名受试者中硅胶植入物与国家规范和盐渍植入物的比较
7. CHARACTERIZATION OF SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES FORMED BY ION IMPLANTATION OF OXYGEN (SILICON, DEFECTS, INSULATOR). [O] . WANG PING. 1986

机译：离子注入氧（硅，缺陷，绝缘体）形成的绝缘体上硅结构的特征。
8. Substrate Heating for the Formation of Silicon-on-Insulator Structures by Oxygen Implantation [R] . 1986

机译：衬底加热通过氧气注入形成绝缘体上硅结构

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号