机译:植入氧晶片中绝缘体上硅层中电子陷阱状态的深入剖析以及绝缘体上硅/埋入氧化物界面附近的局部机械应力
Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo Universite, 2100, Kujirai, Kawagoe,Saitama 350-8585, Japan;
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机译:通过三维器件仿真确定绝缘体上硅(SOI)/埋入氧化物(BOX)界面处陷阱的电性能
机译:完全耗尽的绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的正面和掩埋氧化物界面陷阱密度的提取
机译:微波退火对绝缘体MOSFET中顶部硅和埋氧化物层之间的界面性能的影响
机译:近红外散射形貌和显微镜粘合硅与绝缘体晶片中图案氧化物埋藏的针孔的特征
机译:与硅隔离物局部氧化的互补金属氧化物半导体绝缘体上硅绝缘光肋波导。
机译:先进的绝缘体上硅:原子层上沉积的结晶硅沉积氧化铍
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成