一种消除局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)中边界应力的方法

摘要

本发明提供一种局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)材料的边界应力消除方法,属于微电子领域,本发明提供的方法特征是将硅工艺中的局部氧化工艺与传统的硅中注氧隔离技术结合起来,采用先区域氧化然后再高温退火工艺,与硅集成电路工艺完全兼容,在微电子机械系统也有重要应用。