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摘要
第一章 绪论
1.1 SOI技术的发展
1.2 SOI技术的优势
1.2.1 体硅技术的劣势
1.2.2 SOI器件的优势
1.3 SOI技术的问题
1.3.1 自加热效应
1.3.2 翘曲效应
1.3.3 电离辐照效应
1.3.4 浮体效应
1.4 SOI技术的应用
1.5 SOI材料的制备方法
1.5.1 SIMOX技术
1.5.2 硅片键合减薄技术
1.5.3 智能剥离技术
第二章 MOS结构的电离辐照效应
2.1 MOS结构的电离辐照效应
2.2 MOS结构电离辐射效应的C-V表征
2.3 SOI器件的总剂量辐照效应
第三章 SIMOX SOI材料埋氧层的氮氟复合注入改性工艺及表征
3.1 引言
3.2 SIMOX SOI材料埋氧层的氮氟复合注入
3.3 氮氟复合注入SIMOX材料的C-V表征及分析
3.3.1 材料的C-V表征
3.3.2 材料的C-V特性分析
3.4 小结
第四章 氮氟复合注入改性SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应
4.1 氮氟注入对SIMOX材料埋氧层总剂量辐照效应的影响
4.1.1 实验描述
4.1.2 实验结果
4.1.3 讨论分析
4.2 氮氟复合注入改性SIMOX SOI材料的辐照后退火效应
4.2.1 退火实验
4.2.2 实验结果
4.2.3 讨论分析
4.3 高剂量辐照对氮氟复合注入改性SIMOX SOI材料总剂量辐照效应的影响
4.3.1 辐照实验描述
4.3.2 辐照实验结果
4.3.3 结果讨论分析
4.4 小结
第五章 SOI材料的氮与氟离子注入模拟
5.1 离子注入理论
5.1.1 离子注入优势
5.1.2 离子阻止机制
5.1.3 注入离子在靶材料中的分布
5.2 氮离子注入损伤的计算机模拟
5.3 小结
第六章 结论
参考文献
致谢
附录
济南大学;