机译:使用氢离子剥离技术在绝缘体上形成阻挡层硅的方法-涉及在特定温度下处理硅衬底的SOI阻挡层,绝缘膜和支撑板,从而不会引起氧沉淀
公开/公告号FR2860100A1
专利类型
公开/公告日2005-03-25
原文格式PDF
申请/专利权人 NEC CORPORATION;
申请/专利号FR20040052015
发明设计人 OGURA ATSUSHI;
申请日2004-09-10
分类号H01L21/762;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 21:58:21