机译:在基板上产生隔离薄膜的过程包括基板上硅原子层的原子沉积,基板上硅原子层上的氧原子层和基板上金属原子层的原子沉积,金属原子层上的氧原子层的原子沉积。
公开/公告号DE102004048679A1
专利类型
公开/公告日2005-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 SONY CORP. TOKIO/TOKYO;
申请/专利号DE20041048679
发明设计人 HIRANO TOMOYUKI;
申请日2004-10-06
分类号H01L21/31;H01L21/205;H01L29/78;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:00:41