MeV硅、氧离子注入SI-GaAs形成相互隔离的双导电层

摘要

用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n^+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10^(14)cm^(-2))+80 key(5×10^(13)cm^(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10^(10)～10^(11)cm^(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.