Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

摘要

研究了单(Si+)双(Si+/As+)离子注入半绝缘砷化镓(SI-GaAs)电激活的均匀性. 结果表明,LECSi-GaAs衬底中深电子陷阱能级(EL2)均匀性分布好坏,对注入层电激活性有一定影响. 当SI-GaAs中碳含量小于5×1015 cm-3时,对注入层电激活影响不大. 采用多重能量Si+注入,可改善栽流子纵向分布的均匀性,采用Si+/As+双离子注入可改善LEC SI-GaAs衬底中EL2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响,可获得注入层横向的电激活.