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王永晨; 刘明成;
不详;
快速热退火; 砷化镓; RTA技术;
机译:通过使用Fe离子注入和快速热退火的后生长工艺实现半绝缘InGaAsP / InP层
机译:使用反应性离子刻蚀技术的InGaAsP-InP半绝缘掩埋异质结构激光器的高温连续波操作
机译:半绝缘GaAs / AlGaAs多量子阱系统在双激子极化和布拉格共振附近的光谱
机译:瞬态光谱技术研究低碳无掺杂半绝缘GaAs中的深受体态
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:通过快速热退火处理制造的大面积纳米等离子体传感器用于无标记和多点免疫球蛋白传感。
机译:快速热退火注入硅和镁的半绝缘GaAs的活化分析
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:半绝缘Gaas衬底上离子注入制造电阻器的方法
机译:技术上外延砷化镓(gaas),而半驱动器有砷化镓(gaas)
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