快速热退火

摘要： 本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300°C、快速热退火350°C条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分析镍锗锡薄膜的元素分布,发现1 nm钛插入层发生"层转移"现象,钛在镍与锗锡合金反应后分布在样品的表面,由"插入层"变为"盖帽层";而锡元素因受到金属钛的调制作用,主要分布在镍锗锡薄膜/锗锡衬底的界面.

摘要： 采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关.对制备的InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了研究报道.通过台面结栅控结构和快速热退火相结合的实验研究,发现热退火处理使得样品在温度80 K,偏置电压-0.05 V下的暗电流密度从2.17×10-7 A/cm2上升至6.96×10-5 A/cm2,并且有无退火样品的暗电流随偏置电压变化表现出明显的不同.退火导致光敏元台面侧壁电荷密度上升2.76×1012 cm-2,引起了表面漏电流的增加,利用X射线光电子能谱(XPS)发现退火后台面蚀刻区域Sb单质含量增加.

摘要： 采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触.研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影响.结果 显示:固定退火时间8s时,ITO薄膜方块电阻呈减小趋势,但变化不大,430°C时为7.7Ω/口;LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,430°C时达峰值136mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,440°C时达谷值1.13Ω.固定退火温度415°C时,LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,退火12s时达峰值132.5mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,退火12s时时达谷值0.93Ω.

摘要： 利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si1-xGex缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理.采用X射线衍射仪、拉曼光谱测试仪、扫描电子显微镜对Ge薄膜表征.结果表明:使用该方法制备的Ge薄膜及缓冲层界面清晰;沉积Ge薄膜的临界结晶温度约为375°C;在800°C,110s的退火条件下随衬底温度的升高,Ge薄膜由Ge(220)择优生长转变为Ge(111)择优生长.衬底温度500 °C时磁控溅射沉积的Ge薄膜,经800°C,110s快速退火处理后的Ge(111)衍射峰峰强占比达到74％,平均晶粒尺寸达到41 nm,为后续替代锗单晶作为多结电池衬底材料打下良好的基础.

摘要： High transmissivity and good electrical conductivity should be ensured when ITO is applied in transparent electrodes.ITO thin films were made on the glass substrate through Radio Frequency (RF)Magnetron Sputtering.A spectrophotometer and a Four Point Probe Tester were used to test their electrical resistivity and transmissivity within the range of visible light.XRD was used to test their crystalline structure.The result shows that when O2and Ar flow rate is 1 ∶ 99,the substrate temperature is 200 °C and the sputtering power is 150 W under the condition of annealing for 60 minutes at 250 °C,the thickness of sediment ITO is 1.4 μm,and its photoelectric property is optimal.And the peak value of transmissivity within the range of visible light is 89.27% when the resistivity is 3.42× 10-3Ω·cm.%为保证氧化铟锡(ITO)薄膜良好的导电性和很高的可见光透过率,通过射频磁控溅射在光学玻璃基底上制备了ITO薄膜,采用分光光度计和四探针测试仪测试了 ITO 薄膜电阻率和在可见光范围内的透过率,X射线衍射(XRD)测试薄膜晶相结构.研究基底温度、氧气和氩气流量比和退火时间等工艺对 ITO 薄膜光电特性的影响.研究结果表明:在氧气和氩气流量比为1∶99、基片温度200 °C、溅射功率150 W、250 °C退火60 min条件下,沉积的ITO薄膜厚度约为 1.4 μm,ITO薄膜光电特性最佳,电阻率为 3.42×10-3Ω·cm,可见光范围内峰值透过率为89.27%.

摘要： 采用超高真空气相沉积系统在 Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得 Se纳米晶薄膜.SEM 观察结果表明,当热退火温度高于 140 °C,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构.Raman和 XRD测试分析发现,退火后的 Se纳米晶均为三角晶型结构,当退火温度高于 140 °C时,Se开始沿(100)方向择优取向结晶.分析得出,在 Si(100)衬底上的Se晶粒(100)晶面的激活能比(101)晶面的激活能低,因而在(100)面上的结晶速率比(101)面上的结晶速率大,使得 Se在(100)方向择优结晶.笔者认为这是因为 Si(100)衬底对 Se的结晶具有诱导作用,致使硒的结晶具有各向异性.%The selenium (Se)amorphous films were fabricated on Si(100)substrates via an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition technique,and were subsequently treated by a rapid thermal-annealing process under different temperatures to prepare a series of nanocrystalline films.We observed a surface morphology transformation from the streak-like crack to the structure of hexa-gonal blocks via SEM when the annealing temperature was higher than 140 °C.XRD and Raman spectroscopy indicated that all the thermal-annealed Se nanocrystalline films consist of trigonal crystallites,and the Se nanocrystallites begin to preferentially crystallize along (100)orientation on the Si(100)substrate as the annealing temperature exceeds 140 °C.The oriented crystallization of Se cry can be attributed to the lower activation energy along the (100)orientation compared to the (101)orientation,which causes a rela-tively greater crystallization rate along the (100)orientation.We ascribed this to an inducing effect of Si(100)substrate,which en-dows the crystallization of amorphous Se with anisotropy.

摘要： 采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9 nm增加到5.3 nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60 eV左右.研究发现:位于1.48 eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60 eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.

摘要： 本文研究了磁控溅射的CuInGaSe2薄膜在CuCl2和InCl3溶液中浸泡10分钟后,进行快速热退火(RapidThermalProcess,RTP)对薄膜电学性能的影响.结果表明,In离子的掺入,产生了施主In,从而产生电子与P型的CuInGaSe2薄膜中的空穴复合,降低了载流子浓度,但是在适当的条件下提高了载流子迁移率.Cu离子的掺入,产生了Cu受主,从而产生了更多的空穴提高了CuInGaSe2薄膜的载流子浓度,同时在2M的CuCl2浸泡后,在400°CRTP处理50秒的条件下,提高了薄膜的迁移率.

摘要： 本实验中ZnO 及ZnO/Al 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。靶选用金属Zn 及金属合金Zn/Al 靶。经快速热退火（RTA）后，通过XRD，UV-VIS-NIR 分光光度计、四探针测方块电阻等研究了经不同温度RTA 后ZnO 及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方块电阻、电阻率、可见光透过率等的变化。同时，对传统热退火和RTA 进行了比较。

摘要： 采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au(5/10nm)电极的接触界面进行Zn+、Pt+离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火(RTA)处理,发现Ni/Au电极和p-GaN的欧姆接触特性得到了明显改善。Zn作为Ⅱ族元素,可提高p-GaN表面的载流子浓度,研究发现1×1016cm-2的Zn+注入样品在200°C下RTA处理后,接触电阻率pc从10-2Ω·cm2降到10-5Ω·cm2,电极的光透射率也随退火温度的升高而增大。结合电镜分析,此欧姆接触特性的改善被归因于Zn+注入到接触界面使界面空穴浓度增加和肖特基势垒高度降低,注入剂量和退火温度在此机制中起重要作用。具有高功函数的Pt+注入对欧姆接触特性也有改善,但效果不如Zn+注入明显。经1×1016cm-2的Pt+注入、300°C的RTA处理后,样品的接触电阻率最低,但只是从10-2Ω·cm2降到10-3Ω·cm2;而1×1016cm-2的Pt+注入样品达到最高光透射率时,RTA的温度为200°C,注入及退火对电极接触光、电特性的改善有不同步现象。

摘要： 将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700°C～1000°C的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800°C退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。

摘要： 以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光低温退火技术有望成功地在未来应用PZT铁电薄膜制作组件时,增加其制备工艺设计的弹性和可行性。

摘要： 应用射频磁控溅射方法，利用快速热退火（RTA）工艺，制备出了具有良好铁电性能的(Ba0.7Sr0.3)TiO3（BST) 铁电薄膜。通过对BST 铁电薄膜的厚度、XRD 图谱、SEM 图像和电滞回线进行分析，优化了制备BST 铁电薄膜的工艺条件。研究表明要想得到单一钙钛矿结构的BST 铁电薄膜，退火温度要高于800°C。氧气气氛的通入有利于降低BST 薄膜的矫顽场强并提高其饱和和剩余极化强度,提高铁电性能。

摘要： Cu,Ag离子以不同的剂量比在室温条件下注入到高纯非晶二氧化硅玻璃,透射电镜明场像和相应的选区电子衍射花样证明了该样品中形成了Cu,Ag金属纳米颗粒,从室温下样品光学吸收谱可以观察到Ag的吸收峰,但观察不到明显Cu的吸收峰.把样品在还原-保护气氛下常规退火,发现Ag在600°C常规退火又会从衬底表面蒸发,故对样品进行了900°C快速热退火,这时可以看出明显的Cu表面等离子体共振吸收峰.用红外谱仪表征样品退火前后和未注入的衬底的应力对比,结果表明退火可以消除应力使SiO2网络结构得到了部分恢复。

摘要： 本论文主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TTFT(ZnO基薄膜晶体管)器件,并通过XRD和透射光谱来对两种不同制备方法下样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85％以上.并研究了退火处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性.

摘要： 本文研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.量子阱生长时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59微米,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.这是国际上首次实现GaAs基1.55μm以上波长室温连续激射激光器.

摘要： 本文从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.

摘要： 本文所公开的多个实例涉及构造为提供用于处理腔室的热量的灯。灯包括充满气体的灯罩。灯丝设置于灯罩内。灯丝具有上直径、下直径和长度。一对电极电耦接至灯丝。一对引脚电耦接至该对电极。该对引脚构造为将能量转移至灯丝。上直径或下直径与长度的比是约0.3。上直径不等于下直径。

摘要： 本实用新型涉及一种铁线退火感应快速集热升温装置，包括:底座，所述底座度四侧均设有支撑柱，所述底座上方连接设有退火箱，所述退火箱上方设有温控装置，位于所述退火箱两侧的底座上均设有鼓风装置，所述退火箱内腔后侧壁的两侧均固接设有水平放置的电动伸缩柱，两个所述电动伸缩柱的端部均固接设有连接块，两个所述连接块之间活动插接设有卷线辊，其中一个所述连接块的另一侧固接设有电机，所述电机的驱动轴穿过连接块与卷线辊活动插接，两个所述电动伸缩柱的固定端之间设有感应装置，所述退火箱内腔底部设有盛接筒。本实用新型与现有技术相比优点在于：结构合理，便于使用，方便对温度进行调节。

摘要： 本发明提供一种使用热退火设备进行快速热退火工艺的方法，对热退火设备在空闲及工作状态下分别按照第一、第二参数进行设定，并将热退火设备的数个加热腔中的至少前1个加热腔设为区别设定加热腔，所述第一参数中对区别设定加热腔的设定温度低于所述第二参数中对该区别设定加热腔的设定温度，从而使得热退火设备在由空闲状态向工作状态转换时，减少工作状态初期首先放入热退火设备中的基板与工作状态稳定时放入的基板间温度的差异，进而减少TTP变异的发生，降低产品报废的风险，提升产品良率，增加产品经济价值。

摘要： 本发明提供了一种快速热退火设备，包括：反应室；预热灯源，设置于所述反应室顶部；晶圆测温器，设置于所述反应室内以实时测量晶圆的温度；腔壁测温器，设置于所述反应室内以实时测量所述反应室的温度；加热线圈，设置于所述反应室的腔壁上；控制模块，设置于所述反应室的腔壁上，用于根据所述腔壁测温器和/或晶圆测温器获取的温度控制所述预热灯源及所述加热线圈的开关或功率大小。本发明解决了现有技术中晶圆受热不均导致品质下降的问题。

摘要： 本发明提供了一种快速热退火方法，包括：提供一基底，所述基底中注入有杂质离子，所述基底表面具有自然形成的生长层，通过在对所述基底执行快速热退火工艺时，向快速热处理机台中通入预定的气体，以使所述气体能够与所述基底反应以增加所述生长层的厚度，以利用增加后的所述生长层防止位于所述基底中的所述杂质离子溢出，进而避免了生长层厚度过小导致的快速热退火时注入的杂质离子从所述基底表面溢出的情况；以及，采用上述快速热退火方法减少了操作人员因注入离子溢出而需要停机并对机台或工艺进行问题分析与故障排除的情况，提高了生产效率。

摘要： 本发明提供了一种建立全局调节模型进行优化快速热退火的方法，应用于退火时对晶圆的热补偿，其中，包括以下步骤：进行试验，收集、处理晶圆试验数据，确立全局调节模型；根据全局调节模型计算所需的温度补偿量，控制机台退火温度；有益效果：通过收集晶圆的阻值、膜厚等参数数据，通过自建的全局调节模型依据晶圆参数变化对晶圆进行热量补偿，保证晶圆不同区域受热一致，半导体器件的电性参数稳定。

摘要： 本发明提出了一种快速热退火机，其包括：多个依次排布降温室，其设置有用于输入物料的入口以及用于输出物料的出口；以及设置在入口周围且用于吸收从降温室的入口输入的热量的第一冷却模块，其中，相邻两个降温室中的一个降温室的入口与另一个降温室的出口相接通。采用这种设计能进一步地提高相邻两个降温室的温差，来实现对基板进行更快地降温，从而可以通过减少降温室的数量方式来降低快速热退火机的成本。

摘要： 本发明提供一种使用热退火设备进行快速热退火工艺的方法，对热退火设备在空闲及工作状态下分别按照第一、第二参数进行设定，并将热退火设备的数个加热腔中的至少前1个加热腔设为区别设定加热腔，所述第一参数中对区别设定加热腔的设定温度低于所述第二参数中对该区别设定加热腔的设定温度，从而使得热退火设备在由空闲状态向工作状态转换时，减少工作状态初期首先放入热退火设备中的基板与工作状态稳定时放入的基板间温度的差异，进而减少TTP变异的发生，降低产品报废的风险，提升产品良率，增加产品经济价值。

摘要： 本发明提供一种灯具、多灯装置和快速热退火机，所述灯具包括，灯管基座，所述灯管基座具有一容置孔，所述容置孔的内侧设有第一对齐基准结构；灯管，所述灯管的外侧设有第二对齐基准结构，所述灯管与所述容置孔的形状相适应，所述第一对齐基准结构与所述第二对齐基准结构的形状相适应，所述灯管的第一端插入所述容置孔内时，所述第一对齐基准结构与所述第二对齐基准结构配合；灯泡，所述灯泡连接所述灯管的第二端，并通过所述灯管与所述灯管基座电性连接。本发明提供的灯具、多灯装置和快速热退火机，提高了所述灯具的安装效率，以及解决了多个灯具之间最亮点的间距不统一的问题。

摘要： 本发明公开了一种快速热退火设备的腔体的漏氧及温度监控的方法及系统，其中方法包括以下步骤：将放入Ti片的腔体升温至723°C～727°C，保持50至70秒；测量Ti片的方块电阻的阻值和方块电阻阻值的均匀性；判断Ti片的方块电阻的阻值是否大于等于3.3Ω/方块且小于等于10Ω/方块，并且判断所述Ti片的方块电阻的阻值的均匀性是否大于等于2.65％且小于等于26％；若是则腔体不漏氧且温度准确。本发明使用一片Ti片SPC快速升温至工艺温度保持短暂时间，测量Ti片的方块电阻的阻值和方块电阻阻值的均匀性即可得出结果；测试时间短，检测工艺简单有效，能够及时发现腔体是否漏氧，准确监控腔体温度，保证工艺质量。