机译:通过使用Fe离子注入和快速热退火的后生长工艺实现半绝缘InGaAsP / InP层
机译:快速热退火过程中点缺陷对注入硅的砷化镓电激活的影响
机译:通过快速热退火对GaAs中注入的Be,Mg,Zn和Cd进行电活化
机译:通过快速热退火和质子注入对GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器进行波长调谐
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:GaAs上Ta-Si5薄膜注入的快速热退火
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管