University of Arkansas.;
机译:热退火对(311)B和(001)Gaasbi / Gaas单量子孔的光学和结构性能的影响
机译:快速热退火对MBE生长的GaAs0.9-xNxSb0.1结构的光学性能的影响
机译:在GaA上MBE生长的AllnGaAs多量子阱激光器中通过快速热退火降低阈值
机译:通过快速热退火低阈值MBE生长的AlInGaAs-AlGaAs应变多量子阱激光器
机译:MBE生长的碲化锌,锑化镓的材料特性及其在光电器件中的异质结构。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:MBE生长的GaN薄膜中快速热退火对生成-复合噪声的影响研究
机译:利用分子束外延生长InGaasp的集成光电子电路(mBE Gaas的掺铒)