离子注入

摘要： 离子注入是材料表面改性的一种重要手段,可以通过改变材料表面化学成分和组织结构来改变其化学、物理以及力学性能。对316L不锈钢进行离子注入以提高其表面强度以及耐蚀性能。对316L不锈钢进行Ni-C复合离子注入,以两种元素的注入剂量以及注入比例为变量分析了离子注入对316L不锈钢表面微观组织结构、耐蚀性以及表面硬度的影响,揭示了离子注入工艺和耐蚀性两者之间的关系。实验结果表明,离子注入制备的表面致密均匀而且孔隙率低,先后注入剂量为1.0×10^(17)ions/cm^(2)的Ni、C元素得到的316L不锈钢的腐蚀电位比基体正移了210 mV,同时腐蚀电流密度降低一个数量级,耐腐蚀性能明显提高。而且在进行最大剂量(1.0×10^(17)ions/cm^(2))Ni离子注入后,C注入剂量的增加能够稳定提高316L不锈钢的耐腐蚀性能。

摘要： 采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga_(2)O_(3)∶Eu^(3+)样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu^(3+)的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga_(2)O_(3)晶体随Eu^(3+)注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu^(3+)剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu^(3+)发光峰。通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外,Eu^(3+)发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。

摘要： 通过Ti离子单注入或与Ag离子顺次注入、结合后续的N;气氛下热退火处理,在SiO_(2)基体的浅表面层合成TiO_(2)纳米结构,详细研究了该纳米结构的形貌、结构、光学特性及其光催化性能。结果表明:Ti离子单注入或与Ag离子顺次注入并经热处理后均能在SiO_(2)中产生TiO_(2)纳米颗粒,700°C退火后形成的纳米颗粒主要为锐钛矿相,继续升高退火温度,TiO_(2)纳米颗粒逐渐转变为金红石相。Ag的附加注入不仅能促进TiO_(2)纳米颗粒的生长,而且可以降低其形成的温度及光学带隙。此外,光催化实验结果还显示,Ag的附加注入能够提高所合成的TiO_(2)纳米颗粒光催化活性。结合光致发光和X射线光电子能谱测试结果分析并给出了附加Ag离子注入导致所合成的TiO_(2)纳米结构光催化活性提升的可能机理。

摘要： 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855°C退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。

摘要： 采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性,并在深结扩散器件中得到有效的利用,取得较理想的效果。

摘要： 超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。

摘要： 探讨了低剂量离子注入技术对VO_(2)薄膜的结构和红外发射性能的影响,发现1×10^(15) cm^(-2)注量的W离子注入掺杂时,会对VO_(2)薄膜的晶体结构产生一定的损伤;经400°C退火处理后部分恢复了薄膜的单斜相晶体结构,且退火处理后,在掺杂W离子、结构缺陷和氧空位的共同作用下,掺杂量0.12%即可使VO_(2)薄膜的相变温度降低8.9°C;掺杂原子数量每增加1%,其相变温度相应变化74.2°C;W离子注入并经退火处理后,VO_(2)薄膜的红外发射率为0.35~0.46,其在低温区间的红外发射率相比未注入薄膜降低了0.14,这大幅度提高了VO_(2)薄膜在低温区的红外隐身性能.

摘要： 对经过T6热处理的2195铝锂合金试样进行了N离子注入工艺处理,使用X射线衍射仪、显微硬度计、摩擦磨损试验机、电化学工作站等对离子注入前后的铝锂合金试样进行了测试与表征。结果表明:在高剂量的N离子注入后有新相A1N的出现,注入后的合金试样表面出现软化现象。摩擦实验表明,注入前后摩擦系数没有明显变化,但耐磨损性能得到提高。N离子注入后铝锂合金的腐蚀电位有所提高,自腐蚀电流密度减小,浸泡实验显示离子注入后试样腐蚀速率显著降低,这是由于合金表面形成的AlN新相以及过饱和氮的扩散保护作用,表明N离子注入是提高2195铝锂合金耐磨和耐蚀性能的有效手段。

摘要： 采用氧等离子体活化聚(苯并噁唑-酰亚胺)(PI)薄膜,以此为基底,通过离子注入和化学电镀铜工艺制备高黏结性、耐锡焊性的无胶柔性单面覆铜板(FCCL)。控制气流压强,研究处理功率、处理时间对薄膜表面结构、化学成分及其与Cu层黏结性能的影响。结果表明:氧等离子体改性对改善PI薄膜黏结性能有重要影响,控制压强30 Pa,处理功率100 W,时间10 min,表面引入含氧极性基团,蚀刻明显,使薄膜的浸润性增强;PI薄膜与铜离子形成络合物,进一步赋予FCCL优良的黏结性能,其剥离强度比现有FCCL提高60%以上。

摘要： 硼的瞬间增强扩散(transient enhanced diffusion,TED)导致MOS晶体管出现反短沟道效应,阈值电压异常升高,严重影响器件性能和良品率,不同的器件尺寸,阈值电压增量不同,为探究沟道内杂质离子分布情况和器件尺寸对TED效应的影响,在40 nm CMOS工艺平台下,对调阈值注入、低掺杂漏极(LDD)离子注入和碳离子协同注入工艺进行参数调整实验,测量不同工艺参数、不同尺寸的晶体管阈值电压,采用TCAD工具仿真沟道内硼离子和间隙原子的浓度分布.实验结果表明:沟道长度逐渐缩小,阈值电压先上升,在0.55 μm处达到最高后迅速下降,上升速率随着沟道宽度的减小而降低.当沟道长度不变时,阈值电压随沟道宽度一直下降,且下降得越来越快.间隙硅原子由LDD离子注入引入并向沟道扩散,而硼离子聚集在LDD-沟道边界位置,但是在LDD和沟道形成的角落会向浅沟槽隔离(STI)区域泄漏,聚集和泄漏作用共同控制沟道内硼离子的浓度分布.TED效应导致的阈值电压漂移是受器件尺寸调控的,另外,高能量的碳协同注入结合红外快速热退火技术可以有效地抑制TED效应.

摘要： 离子注入技术提出是在上世纪五十年代,主要应用于原子物理和核物理研究领域.随着后续的发展,逐渐应用到半导体器件和集成电路领域,从一定程度上推动了集成电路大规模发展.本文主要是研究离子注入技术应用于PCB领域,通过离子注入技术得到薄铜,为精细线路做好铺垫.同时,因PCB产品终端品质要求,需进行相关一系列的信赖性实验,所以制作实验板进行相关信赖性实验,实验结果表明,离子注入技术能够满足PCB产品品质要求.

摘要： 本文研究了离子注入技术在N-PERT电池上的应用，与传统扩散技术相比具有注入均匀性好，剂量准确可控，重复性高等特点，在电池性能与收敛性方面更有优势。同时可以显著简化N-PERT工艺流程，结果显示，注入后的退火可有效修复晶格的损伤，通过注入剂量的优化，批量试制效率达20.69%。

摘要： 采用离子注入技术对316不锈钢双极板表面进行离子注铌,在模拟质子交换膜燃料电池(PEMFC)环境中研究了注入铌改性的双极板的电化学行为.结果表明,注入铌层以孤岛的形式均匀分布在不锈钢表面,其高度在50nm以内.在模拟PEMFC阳极环境中,离子注入铌316不锈钢的腐蚀电位比316不锈钢的腐蚀电位提高230mV:恒电位-0.1V时电流密度从12.80μA/cm2减小到4.49μA/cm2;在模拟PEMFC阴极环境中,离子注入铌不锈钢的腐蚀电位比不锈钢提高339mV,恒定电位0.6V时电流密度从从26.46μA/cm2减小到19.131μA/cm2.XPS测试结果,离子注入铌316不锈钢表面生成化学惰性良好的NBO2、Nb2O6形成耐蚀"屏障",提高了316不锈钢的耐腐蚀性.

摘要： 丁腈橡胶是一种广泛使用的合成橡胶,目前应用于各种非轮胎制品.离子注入被认为是一种提高丁腈橡胶表面特性的有效手段,比如降低摩擦系数、提高耐抗性等.最近,为了理解辐照效应对于硫化橡胶的功能特性如摩擦系数和硬度等的影响,利用北京大学离子源测试平台将N+和H+注入丁腈橡胶表面进行研究.离子注入完成以后,对丁腈橡胶表面的摩擦系数、硬度、耐热老化性能、摩擦特性以及耐磨损性能进行了分析.

摘要： 本文讲述了用场发射扫描电镜的扫描透射模式观察MEVVA(金属蒸汽真空弧)离子源钨离子注入聚酯(PET)膜的横截面的超薄切片.当注量为2×1017cm-2时,发现注入层的表面有一层钠米颗粒.通过对比该样品放入加速电压为100kV的普通透射电镜观察结果,表明场发射扫描电镜的扫描透射模式对于待观察的样品具有良好的穿透性,足够的的分辨率和放大倍数.在微区成分分析时可以如预期地得到一个较好的元素成分分析空间分辨率.且该方法充分发挥了场发射电子枪高亮度、电子束直径小的优势.

摘要： 离子注入技术是一种行之有效的半导体掺杂技术.利用离子注入方法对半导体掺杂,在高温下退火激活杂质离子可形成高品质PN结.近年来,随着光伏行业的飞速发展,离子注入技术逐渐被引入晶硅太阳能电池制造过程.该技术的应用可以实现低表面浓度均匀掺杂并在退火过程中形成热氧钝化层,从而改善晶硅太阳能电池的蓝光响应,使得太阳能电池的光转换效率得以提高.在利用离子注入技术制作p-型156mm 单晶硅电池过程中,我们发现离子注入电池边缘漏电比较严重,同时会出现开路电压(Voc)分层现象.为此,我们对离子注入剂量和能量,退火工艺以及印刷工艺进行了大量的实验调整并解决了这些问题.实验结果表明,与传统磷扩散工艺相比,离子注入技术不仅可以改善电池的光转化效率,而且效率分布也比较集中,良率较高,最近在实验室内我们可以实现19%的平均光转化效率.

摘要： 具有中间能带的多带隙太阳电池是一种第三代新型高效太阳电池.由于处于禁带中的中间带的存在,这种新型太阳电池能够在单结中实现三种不同能量的跃迁,像现有的三结太阳电池一样,极大地拓展光吸收波长范围的同时,维持高的开路电压,单倍太阳光和聚光条件下理论能量转换效率分别可达46％和63.2％.中间带太阳电池的关键在于获得合适的中间带材料,即在合适的基质材料的禁带中,引入合适的中间能带,以便创造最优的太阳光子能量吸收与跃迁机制.

摘要： 主要内容，研究背景，结果与讨论，当前晶硅电池占据了太阳电池市场的绝大部分,但由于晶硅电池耗能大,成本高,因此高效率低成本成为晶硅电池的发展主流.通过优化背电极（如采用InGa合金）优化器件性能；2Si与背电极界面修饰，改善Si与电极接触，调整能带结构。背场对杂化电池性能的提升具有重要的作用，效率增加近25%，因此应探索合适低温背场材料，背场有利于载流子的传输，减小接触电阻，改善理想因子；.背场的引入增强了内建电场，促进载流子分离，抑制强光下俄歇复合。

摘要： 介绍了试验流程晶格损伤表征J0e,VASE,Raman硼硅团簇模拟高温退火对衬底材料的影响总结，优点:简化工艺流程,降低成本.可实现更精确的掺杂控制,便于制作复杂结构的新型高效电池.

摘要： 离子注入技术能够精确控制注入离子种类、能量和剂量,并很容易与光伏行业现有的其他新技术结合,并且实现精细化、图形化,从而成为高效电池片技术的核心工艺.本文讲述了目前,上海神舟新能源与Kingstone联合研发的离子注入制程,电池平均效率达到19.17％,最高效率达到19.37％.项目组期望最终低成本实现量产效率19.5％以上的太阳电池.

摘要： 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF

摘要： 包含在本发明中的离子源(12)是用于离子注入器中。离子源(12)包括一个气体密封室(18)，该密封室具有限定了一个气体电离区域(120)的导电室壁(112，114，116)。气体密封室(18)设有一个使离子射出室外的出口孔(126)。支架(15)固定与装置(13)相对的气体密封室(18)，装置(13)使射出气体密封室的离子形成离子束。电离材料的供给源把材料送到气体密封室(18)中。固定在支架上的天线(130)具有金属射频导电部(132)，该导电部直接安装在气体密封室(18)中，给气体电离区域(120)提供电离的能量。

摘要： 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

摘要： 一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。本发明还提供了一种离子注入区掩膜版，以形成具有可较真实地反映产品离子注入制程制造效果的离子注入区的离子注入测试体；本发明还提供了一种离子注入测试方法，使得离子注入制程检测操作可较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。

摘要： 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF

摘要： 本发明涉及离子注入浓度的检测方法，包括以下步骤：对晶圆进行离子注入；刻蚀离子注入区的晶圆到目标深度，在该处形成一定厚度的氧化膜，根据氧化膜的生长速率判断该处的离子注入浓度。本发明的检测方法能够准确地判断离子注入浓度和不同深度的离子注入浓度的大小，并且能够用于判断不同的离子注入机台/程序的一致性。

摘要： 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

摘要： 本发明提供一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法，离子注入系统包括离子束产生模块、真空注入模块、装载模块和大气传送模块，离子束产生模块、真空注入模块、装载模块以及大气传送模块依次相连，即离子束产生模块连接到真空注入模块，真空注入模块与装载模块相连接，装载模块与大气传送模块相连接。本发明开创性地将多个离子源装置进行组合，通过拓展线圈和准直线圈得到了所需有效高度的离子束，且离子束的束流宽度较小、离子密度较高，实现了对大尺寸玻璃基板进行离子注入的技术。

摘要： 本公开的实施例提供一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法，所述离子注入方法包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。通过本公开的实施例所述的方法，使更多电子进入离子束并中和其相应的正电荷，避免了由于正电荷过量在晶圆产生缺陷。

摘要： 本发明涉及输送技术领域，具体涉及一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备。半导体离子注入传输装置，包括托盘、传输组件、加热组件和测温组件；传输组件与托盘连接，传输组件用于带动托盘移动；托盘包括容纳部，容纳部用于放置传输件；加热组件与托盘连接，加热组件用于加热传输件；测温组件与托盘和加热组件连接，测温组件用于测量传输件的温度，并将温度信号传输给加热组件。加热组件根据测温组件测得的温度调整对传输件的加热情况，使得传输件在传输过程中进行预热，实现温度的升高且温度控制在设定范围内，该设定温度范围即为传输件合适的加工温度范围，以有益于传输件后续的加工生产，如离子注入工艺的生产。