1.5 MeV He+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线

摘要

用1.5 MeV He+离子注入半绝缘砷化镓晶体(SI-GaAs),以其为摹体制成光电导天线.太赫兹时域光谱测量显示,以离子注入晶体为基体的光电导天线,其时域信号强度是未注入晶体的3倍,略强于以LT-GaAs晶体为基体的光电导天线,但拥有比LT-GaAs晶体为基体的光电导天线略宽的频谱宽度和相当的信噪比.实验结果表明,用1.5 Mev He+室温注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线的最佳注量约为1×1016 ions·com-2.